电工电子技术A1陈惠英第4章.pptVIP

2. 工作原理 UO = UZ IR = IO + IZ UI?? UZ ? 设负载RL一定， UI 变化 UO 基本不变? IRR ? ? IZ ? ? IR ? ? 1. 电路 + – UI RL + C IO UO + – + – u IR R DZ Iz U I UZ 3. 参数的选择 (1) UZ = UO (2) IZM= (1.5 ~ 3) IOM (3) UI = (2 ~ 3) UO (4) 为保证稳压 管安全工作 为保证稳压 管正常工作 适用于输出电压固定、输出电流不大、且负载变动不大的场合。 例1. 有一稳压管稳压电路，见前图。负载电阻RL由开路变到3kΩ，交流电压经整流滤波后得出UI=45V。今要求输出直流电压U0=15V，是选择稳压管DZ。 解： 由U0=15V，可得UZ=15V。 查半导体器件手册，选择稳压管2CW20，其稳定电压UZ=(13.5~17)V，稳定电流IZ=5mA IZmax=15mA。 4.2 整流、滤波与稳压电路 4.1 二极管 第4章 二极管及其整流电路 1.半导体的导电特性： 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管 等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 4.1.1 半导体的基本知识 4.1 二极管 2. N型半导体和 P 型半导体 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 动画 3. N型半导体和 P 型半导体 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 动画 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 4. PN结的形成 多子的扩散运动 内电场 少子的漂移运动 浓度差 P 型半导体 N 型半导体 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 扩散的结果使空间电荷区变宽。 空间电荷区也称 PN 结 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。 － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + － － － － － － － － 动画 形成空间电荷区 5. PN结的单向导电性 (1) PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 IF 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + 动画 + – (2) PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 P接负、N接正 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 动画 – + PN 结变宽 (2) PN 结加反向电压（反向偏置） 外电场 内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 IR P接负、N接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 动画 – + PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 4.1.2 二极管及其简单应用 (a) 点接触型 (b)面接触型 结面积