电工电子技术教学课件作者第3版刘蕴陶第6章.pptVIP

* +10.75V 10V 10.3V +0.7V 0 6V 例题:某放大电路中的晶体管各极电位如图所示,判断管子工作在何种状态。 --1.3V --1V -- 6V +0.3V 0 -- 6V 放大 饱和 放大 截止 * 例题:某晶体管输出特性如图示 根据输出特性曲线计算β值 IB= 0 UCE／V IC／mA 3 9 6 0 6 12 160μA 80μA 24 18 40μA 120μA 200μA 4 解:取UCE=12V,做图 * 五.晶体管小信号电路模型 (一)为什么要建立晶体管小信号电路模型？ 线性元件 解析计算 (图解分析) UB IB IC IE B RB E UCC C RC 注意:晶体管小信号电路模型只对电流、电压变化量 （△ IB 、 △ IC 、 △ UBE 、 △ UCE ）等效。 非线性元件 * △IC △UCE △IB -- + △UBE + -- B C E E E E B △IB △UBE + -- + △UCE -- 小信号 电路模型 C △IC （二）可能性 对交流变化量（动态）等效 特性曲线中都有一段近似为线性段 之间具有线性正比关系 电流、电压 变化量 电信号幅度较小，在该线性段工作，电流变化量与电压变化量之间就存在确定的线性正比关系。 * IB UBE 0 Q △UBE △IB 在输入特性的直线范围，rbe是常数，能够用来表示△ IB与△ UBE之间的关系。这样，晶体管基极与发射极之间就可以用晶体管的输入电阻rbe等效代替。 基—射极间 △IB与△UBE的关系 常数 晶体管的输入电阻 Q点附近近似直线,各点斜率相同 * △UCE △IC + - C E β△IB B E △IB △UBE rbe + - UCE／V IC／mA 3 9 6 0 6 12 160μA 80μA 24 18 40μA 120μA 200μA 在输出特性的放大区内，IC与UCE无关，只受IB控制。 △IC=β·△IB 因此，集-射极之间可以用一个电流源等效代替。 该电流源受△IB控制，称为受控电流源。 △UCE与△IC的关系由输出特性曲线决定 其变化量之间的关系 * 等效的意义 对晶体管三个电极以外的电路等效。 对极间电压与电流的变化量之间等效。 式中IE是工作点Q对应的发射极电流 △IC △UCE △IB -- + △UBE + -- B C E E B E △IB △UBE rbe + - △UCE △IC + - C E β△IB * 6-5 绝缘栅型场效应晶体管 功能: 场效应晶体管（FET），也是一种放大元件,用来放大微弱电信号。 特点：①双极型晶体管是电流控制型器件 △IB→△IC=β·△IB 场效应晶体管是电压控制型器件 其输入端只需要控制电压,而不存在控制电流。 ②双极型晶体管中参与导电的载流子既有多子，又有少 子,即有两种载流子（电子和空穴），故称双极型晶体管（ BJT）。 场效应晶体管中参与导电的载流子只有多子—电子或空 穴,是一种单极性器件，故又称单极型晶体管。 * FET的分类 结型场效应管（较少应用) (JFET) N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 绝缘栅场效应管 (MOSFET) 输入电阻高、温度稳定性好、抗干扰、抗辐射能力强、 功耗小、制作工艺简单、适宜大规模集成。 优点： * 一.绝缘栅场效应晶体管的基本结构和工作原理 (一)N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管 应用较广 1.基本结构 掺杂浓度低的P型硅衬底 两个高掺杂浓度的N区 --- 铝电极： 源极S和漏极D 二氧化硅（SiO2）薄层（厚约0.1μm) 源极S 栅极G 漏极D P型硅衬底 衬底引线B SiO2薄层 绝缘栅极G (铝电极) 衬底引线B 绝缘栅场效应晶体管 金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET) * 2.工作原理 栅-源极电压UGS对漏极电流ID的控制作用 漏极D P型硅衬底 源极S 衬底引线B 栅极G N+ N+ 栅-源极间短路, UGS= 0,无论源-漏极间加入何种极性的电压,漏极电流 ID = 0。 因为在源---漏极间存在两个背靠背的PN结。 S D P * · 漏极D P型硅衬底 源极S 衬底引线B 栅极G N+ N+ 第二.漏-源极间加入正向电压。(UDS＞0) 欲使漏-源极间导通，产生漏极电流ID，必须满足两个 条件 第一.在栅-源极加入确定数 值的正向电压(UGS＞0),产生 导电沟道。 * 第一.在栅-源极加入确定数值的正向电压(UGS＞0)， 建立导电沟道。 UGS建立垂直于衬底表面的强电场，吸引衬底