BaMoO_4薄膜在电化学法制备中生长基元的实验研究_杨祖念.pdfVIP

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2018-04-17 发布于河南
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BaMoO_4薄膜在电化学法制备中生长基元的实验研究_杨祖念.pdf

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BaMoO_4薄膜在电化学法制备中生长基元的实验研究_杨祖念

:BaMoO 4 535 * BaMoO 4 1, 3 1 1 2 2 1 1 杨祖念 ,肖定全,余萍 , 高道江,毕剑 , 陈连平 , 金晓玲 ( 1. , 610064; 2. , 610068;3. , 610041 ) : 在采用恒电流电化学技术研究BaMoO4 , 膜的初期生长特性实验中, 发现了若干很重要的实验 , 现象: 膜生长初期形成的晶核首先具有白钨矿结构 BaMoO4 , 的骨架; 晶核和刚开始长大生成的晶粒都是疏松的, 晶粒都明显显示有蜂窝状空隙存在; 随着制备时间的增加,白钨矿结构骨架原先疏松的程度逐渐减弱, 经过一 2 定时间, 晶粒趋于饱满, 晶粒表面基本光滑;在膜形成的过程中, 新生成的晶核也具有类似情况结合 2. 1 BaMoO4 膜电化学制备机制分析,作者认为: 利用电 # 2~ 6 99.9% 化学技术制备BaMoO4 晶态膜时, 在生长初期基体 , ( aOH 2- Mo 以[MoO4 ] 的形式构成负离子配位多面体生长 ) ,, 基元,这些生长基元优先选择在基体缺陷处作为白钨 , 矿结构的晶核堆砌和生长,并进而与溶液中的[ Ba] 2+ 相连接,键合成BaMoO4 晶粒, 再逐渐长大显然, 该 2.2 发现和研究对于丰富晶体生长动力学知识及指导利用 () 电化学技术制备晶态膜都具有重要意义 ( ) ( ) : ; BaMoO4 ; ; 2 Ba( OH) , pH 12~ 13 Ba : TB383;O646.542 : A (OH)2, : 1001-9731(2006) 04-0535-03 5~ 10min , CO2 , 1 , 0. 5~ 1mA/ 2 cm ,2~ 2. 5cm , , , , , , , [ 1, 2] , , ,, , BaMoO4