4、单晶铸锭Virtus Wafer的缺陷特性.pptVIP

Virtus Wafer的缺陷特性 李娟、翟蕊、石郧熙 2011.07.06 Virtus Wafer的缺陷特性 一、引言 二、缺陷的显示方法及取样 三、Virtus Wafer在硅锭中的晶粒大小与缺陷分布 四、Virtus Wafer与普通多晶硅片缺陷分布的比较 五、结论 一、 引言 昱辉Virtus Wafer 低成本 硅片类型 生产方法 优点 缺点 多晶 浇铸法 装料量可高于400Kg/炉以上，成本低 较多的晶界和位错严重影响晶体品质【1】 转换效率较低~16.5% 单晶 直拉法 装料量~100Kg/炉，成本高 晶向单一、缺陷低、少子寿命高 转换效率较高~18.0% 1、 太阳能行业背景：追求低成本、高质量晶体硅是行业的发展趋势 高品质 采用铸锭设备批量生产 单一晶粒面积可达90%及以上 【1】A. Fedotov et., Phys Stat Sol (a) 119 (1990), p. 523. 2、Virtus Wafer简介 Virtus Wafer照片 多晶硅片 单晶硅片 利用Virtus Wafer在普通丝网印刷电池线上制备的电池片，平均转换效率达到17.5%及以上，光致衰减只有单晶电池片光致衰减的一半【2】。 【2】 /html/0111/1211138451.html 二、缺陷的显示方法及取样 1、晶体的原生缺陷显示 坩埚面 A C B 2、 取样情况介绍 取样大体位置： 按与坩埚接触情况分A区、B区、C区，各取一个硅块作为样本 在硅块大致底、中、顶位置取样 取样厚度：~2mm厚样片或~200 μm厚的成品片 硅片经过化学抛光或除损伤层后，采用Secco腐蚀液腐蚀2-5分钟使缺陷显示 1、晶粒大小分布情况 晶体大小在硅锭中的横向分布 靠近坩埚面的区域为多晶，其它区域根据长晶体情况，若长晶情况较好则基本为单晶，如图C。 硅锭各个区域硅片照片（以下为某个硅锭底部各个区域的硅片照片） 三、Virtus Wafer在硅锭中的晶粒大小与缺陷分布 A B C 坩埚面 沿着长晶方向，大颗粒的单晶区域面积降低 硅块晶粒大小纵向分布 长晶方向 硅块照片 注：“长晶情况展示”由硅块底部至顶部隔一定距离取的一系列硅片的照片组成 长晶情况展示 横向生长多晶区域 硅锭位错各区域分布情况 2、位错分布情况 A中样 B中样 C中样 说明：如左图所示，图中黑色的暗点是由于大量位错蚀坑导致的，蚀坑越多说明位错密度越大。 位错在硅锭中的横向分布： A区的位错密度明显高于B、C区 ×500 纵向位错分布：由底部到顶部位错密度逐渐增加 硅块位错纵向分布 底部 中部 顶部 底部：局部区域有大量位错/晶界，其它位置位错密度较低（上述硅片95%的区域几近无位错区域） 中部：边缘处有“带状”分布的高位错密度区域（如粉红框标志区域，除此区域，位错密度基本低于3000 个/cm2) 顶部： “带状”分布的高位错密度区域增加，整张硅片位错密度增加 四、Virtus Wafer与普通多晶硅片缺陷分布比较 位错密度较普通多晶硅低的多，晶界更少 尤其是硅锭底部硅片，其边缘存在“带状”分布的高密度位错区域 较多亚晶界 与普通多晶硅比较，Virtus Wafer缺陷分布具有下述特点： 1、位错、晶界密度 Virtus Wafer缺陷显示 普通多晶硅片缺陷显示 Virtus Wafer较普通多晶硅低的多，晶界更少 普通多晶硅【3】： 少见大面积无位错区域（如右图） 位错密度通常在104~107个/cm2 晶粒大小：通常直径小于几个厘米 Virtus Wafer： 边缘存在的高密度的“带状”分布区域导致硅片整体位错分布不均匀，除该区域外，硅片中间大面积区域位错密度较低，几乎为无位错（如右图） 晶粒大小：单个晶粒的面积可达整张硅片90%及以上 【3】N. Chen etal. Materials Science in Semiconductor Processing，Volume 13, Issue 4, December 2010, Pages 276-280 该高位错密度区域通常在硅片的边缘位置，呈现明显“带状”分布 同一个晶粒中，其处于“带状”高位错区的区域位错密度较高（如A处），而另一侧（如B处）位错密度较低，几乎为无位错。 A处显微镜照片 B处显微镜照片 A B 原始硅片 缺陷显示后的硅片 2、Virtus Wafer“带状”分布的高位错区域 ×500 ×500 原始硅片 碱制绒后明显可见亚晶界 Virtus Wafer中存在一些硅片，其表面看似一个大晶粒，实际为多个晶粒组成，如下图所示： 3、Virtus Wafer中的亚晶界 部分Virtus Wafer中有大量的亚晶界，其主要