半导体制造工艺 教学配套课件 张渊 第10章　平　坦　化.pdf

尚尚 辅辅 教教 学学 配配 套套 课课 件件 半导体制造工艺 6/46/5 尚尚 辅辅 教教 学学 配配 套套 课课 件件 第10章 平 坦 化 6/46/5 尚尚 辅辅 教教 学学 配配 套套 课课 件件 第10章 平 坦 化 10.1 概述 10.2 传统平坦化技术 10.3 化学机械平坦化 10.4 CMP质量控制 6/46/5 尚尚 辅辅 教教 学学 配配 套套 课课 件件 10.1 概述 图10-1 两层布线表面的不平整 6/46/5 尚尚 辅辅 教教 学学 配配 套套 课课 件件 10.1 概述 图10-2 多层布线技术 6/46/5 尚尚 辅辅 教教 学学 配配 套套 课课 件件 10.1 概述 图10-3 平坦化术语 6/46/5 尚尚 辅辅 教教 学学 配配 套套 课课 件件 10.1 概述 1)平滑处理：平坦化后使台阶圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著减 小，如图10-3b所示。 2)部分平坦化：平坦化后使台阶圆滑，且台阶高度局部减小，如图1 0-3c所示。 3)局部平坦化：使硅片上的局部区域达到平坦化。 4)全局平坦化：使整个硅片表面总的台阶高度显著减小，使整个硅 片表面平坦化，如图10-3e所示。 6/46/5 尚尚 辅辅 教教 学学 配配 套套 课课 件件 10.2 传统平坦化技术 10.2.1 反刻 反刻平坦化是在起伏的硅片表面旋涂一层厚的介质材料或其他材 料（如光刻胶或SOG ），这层材料可以填充空洞和表面的低处，将 作为平坦化的牺牲层，如图10⁃4a所示。然后用干法刻蚀技术进行刻 蚀，利用高处刻蚀速率快，低处刻蚀速率慢来实现平坦化。当被刻 蚀的介质层达到希望的厚度时刻蚀停止，这样把起伏的表面变得相 对平滑，实现了局部平坦化，如图10⁃4b所示。 图10-4 反刻平坦化 6/46/5 尚尚 辅辅 教教 学学 配配 套套 课课 件件 10.2 传统平坦化技术 10.2.2 玻璃回流 玻璃回流是对作为层间介质的硼磷硅玻璃（BPSG ）或其他的掺杂 氧化硅膜层进行加热升温，使玻璃膜层发生流动来实现平坦化的技 术，如图10⁃5所示。一般，BPSG在氮气环境中，在850℃加热30min 就发生流动，这样可使台阶处变成斜坡。玻璃回流不能满足深亚微 米IC的平坦化要求。 图10-5 玻璃回流