原子层沉积系统.doc

技术指标确认书 设备名称 数量 功能及技术参数 原子层沉积系统 1 一.仪器用途： 此设备热原子层沉积功能，能够精确控制淀积材料的均匀性和掺杂浓度、精确控制二元、三元和四元化合物的组分及结构，可用于生长多种氧化物、氮化物和硫化物等薄膜，也可用于粉末样品涂层制备，并可对层厚进行原子层厚度的精确控制，可应用于材料学、物理学、化学、微电子、光电子、能源、催化、纳米技术等领域。 二.工作条件及总体要求 1. 适应于标准的实验室环境条件，对实验室环境条件无特殊要求和限制。 2. 电源要求：满足国内电网标准，220VAC±10%/单相或380VAC±10%/三相；50Hz；投标方需提供设备额定功率值。 3. 工作温度：+15℃ ～ +25℃ 4. 环境湿度：≤80%，无凝结 5. 设备必须采用国际上同行业中先进成熟的设计思想，制造技术。 6. 设备在质量上必须具有优良的品质，即可靠性要高，使用寿命长。 7. 设备必须具有良好的操作性，方便的维修性，可靠的安全性。 8. 为满足将来科研项目的潜在要求，要求采购的ALD设备尽可能具备比较多的可升级条件。投标商须提供设备最多可配置的常温液态源、加热源和气态源的数量总数与组合方式方案等。 9. 其他：投标方应在投标书中列出设备所需的其他工作条件，如设备尺寸与重量、冷却水、压缩空气、吹扫气体要求等。 三.仪器的主要技术参数： 该套原子层沉积系统必须包括以下配置： *1? 衬底尺寸：满足最大直径8英寸（200 mm）的晶圆基底的加工要求，并能兼容处理6英寸和4英寸硅片。 2 前驱体源系统： *2.1 至少路，每路有独立的反应腔进口，无公用管路，所有源管路配金属VCR接口。 *2.2 系统可加热到200℃，温度可控在±1℃，每条管路必须配置质量流量计（MFC）、压力传感器、脉冲阀。 *2.3 中一路需要配备鼓泡器，能够满足固体前驱体使用的需求。 *2.4一路管路系统。 3? 氮气载气管路系统一路，连接每一路前驱体源管路。配备不同流量的质量流量计进行控制。*4 等离子体：RF，功率≥300W，射频源驱动的电容耦合等离子体源（CCP源）作为远程源，外部匹配盒将等离子负载匹配到射频源，包括所有控制匹配系统。 5 衬底温度：能加热至400℃，温度控制精度±1°C。 真空系统： *.1 配置干泵，防腐蚀设计，抽速不小于500立方米/小时，带薄膜电容真空计。 *.2 腔体本底真空：≤ 10-2 mbar。 *.3 自动节流阀，加自动真空度控制。 控制界面：所有参数包括，温度（衬底、前驱体），气流速度，真空度，沉积循环次数，薄膜层数，层原，总厚度等均可预设，自动控制。 技术文档要求：设备交付时，投标方需向用户提供全套技术资料，语言为中文或英文，包括设备操作手册、设备维护手册、各主要部件手册、原理图、电路图等。 四.主要验收工艺： （1）热ALD沉积Al2O3：4吋或8吋硅晶圆，衬底温度200°C，前驱体TMA + H2O；沉积膜厚≥30nm；膜厚均匀性： ±0.8% （4吋），或 ±1.5% （8吋）；折射率均匀性： ±0.3%。 （2）热ALD沉积ZnO：4吋硅晶圆，衬底温度200°C，前驱体DEZ + H2O；沉积膜厚≥40nm；膜厚均匀性： ±2.0% （4吋）；折射率均匀性： ±0.6% （4吋）。 （3）均匀性定义：4吋或8吋硅晶圆上选多点（至少100个点）、边缘去除6 mm，用椭偏仪进行膜厚、折射率测量，均匀性（%）= ( ((最大值 - 最小值) / (2x平均值)( x 100% 五.售后服务与培训 （1）设备安装、调试、验收完成后，投标方对用户操作、维护人员进行免费培训，包括软件、硬件的操作和日常维护、典型应用工艺，培训时间不少于3天。 （2）设备保修期为12个月，自双方签署验收合格报告之日起。在保修期内，设备在正常使用维护条件下发生故障或损坏，投标方将负责免费维修。 （3）保修期满后，投标方提供优惠的技术服务价格。 （4）投标方应承诺，无论保修期内、外，在接到用户故障信息后4小时内响应，如有必要、在48小时内派工程师到达现场、检查和排除故障。 （5）投标方应对设备提供终身的维修服务、并保证设备所需零备件的长期供应。无 售后服务及培训要求 负责安装调试，人员培训。 交货时间及地点 温州大学 确认人： 日 期： 承 诺 书 承诺内容： 本项目 原子层沉积系统 （设备名称）所拟的技术指标均根据温州大学教学、科研实际需要提出，