原创力文档- 1、本文档共62页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
logic flow文档
* ESD Layer --- Optional ?何谓ESD 损伤机理与部位，防护措施？ 当ｗafer与静电携带体相接触，所带静电经过器件引线放电到地，使器件受到损伤或失效， 这就叫静电释放损伤。MOS device is sensitive to ESD. The charater of ESD is high voltage and small Q. ESD Purpose and method: Use I/O (3.3V) non-salicide device for ESD protection, ESD impl (Boron) to have a path efficiently offer direct discharging paths to bypass the four different (+-Vdd, +-Vss) ESD Stress. (ESD failure usually due to inherent process weakness or Si, Gox point defect and testing, manually issue) MOS电路最易引起ESD的是输入端，一般输入端都接有电阻—钳位器件保护网络。限流电阻多位扩散电阻或 多晶硅电阻，钳位管可为一般二极管，栅控二极管，MOS管等 几种常用结构 Diagram for ESD * P-sub (Silicon wafer) N-WELL PWELL 未掺杂的硅玻璃 (Undoped Silicate Glass) ,USG 可以盖住FSGlayer，防止F-diffusive.避免金属空洞。 P.R. Coating Via 1 In-situ PE-N2 treatment USG Cap 2 K Ox CMP for IMD IMD1 ( SiON/OX- 600A + 200A ) Via1 Photo ADI CD 0.285+/-0.02um Via 1 etch AEI CD 0.275+/-0.025um Via 1 Asher Wet strip (41 + NEKC30) * P-sub (Silicon wafer) N-WELL PWELL Vacuum Bake (300C) VIA GLUE LAYER ETCH 130 /160Ti/70TiN (IMP/CVD) 3.3k? W W CMP W-Plug * P-sub (Silicon wafer) N-WELL PWELL Inter-metal Inter-metal Dep. ( M2~M5 ) SION 320 Dep. Inter-metal Pho (M2~M5) ADI CD 0.26+/-0.02um Inter-metal Etch (M2~M5) AEI CD 0.28+/-0.025um Wet strip * IMD2~IMD5 SRO Liner Dep. HDP 6K ? CVD (HDP 填充能力好，生长速度慢。价钱贵） PE-FSG Dep. 11.5 K ? CVD (FSG 速度快，便宜。） IMD x(x=2~5) CMP In-situ PE-N2 treatment USG Cap 2 K (IMD5 Cap 3.5 K ) Ox CMP for IM
文档评论（0）