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ag离子注入sio2纳米颗粒的合成及后续重离子辐照改性分析 word格式
ABSTRACTIonimplantationintoinsulatorsathighfluenceisoneofimportantwaystosynthesizecompoundsinvolvednanoparticles(NPs).Thesenano-compoundshavepotentialapplicationinvariousfields,suchasopto-electronicdevices,biosensors, opticalswitches,etc.Inthisdissertation,weperformedthemodificationsofthesizedistributionandopticalpropertiesofAgnanoparticlesembeddedinSiO2bypostheavyionirradiation.Themaincontentsandresultsaregivenasfollows.AgNPsembeddedintoSiO2werefabricatedbyimplantationof45keVAg ionsatafluenceof5×1016 ions/cm2,andtheirstructuresandopticalabsorptionpropertieswerecharacterizedindetail.TheformationofAgNPsintoSiO2givesrisetoasurfaceplasmaresonanceabsorptionpeakatabout400nm.ResultsfromXTEM showthatAgionimplantationinducesformationofAgnanoparticlesintheshallowsurface,which mainlyhave(111)and(200)orientations. The AgNPsshow abimodaldistributionintheirsizes.LargeAgNPsaremainlydistributedintheregionclosetothesurface,whilesmallonesarelocatedaroundtheendoftheAgionrange.Moreover,HRTEMobservationsofAgNPsalsoindicatethatmostoftheNPsaresphericalandhavegoodcrystallinestructure.ThesynthesizedAgNPswerethensubjectedtoirradiationofArandXeionsatthesameenergyof500keVandsamefluenceof1×1016ions/cm2,respectively.ByusingtechniquesofXTEM,UV-visandGXRD,modificationsinstructuresandopticalpropertiesofAgNPswereinvestigated.OurresultsclearlyshowthatpostXeionirradiationcouldinduceintensityincreaseintheAgSPRabsorptioncompanyingwithremarkabledecreaseinitsfullwidthathalfmaximumoftheSPRabsorptionpeak.XTEMresultsdemonstratethatpostXeionirradiationpromotesgrowthof smallAgNPsaroundtheAgionrangeintolargerNPs,whichleadstoquantityincreaseofthelargeNPs.Moreover,resultsfromHRTEMobservationsalsoindicatethatpostXeionirradiationgivesrisetoformationofAgNPswithvariousdamagedstructures.ComparingwithArionirradiationatthesameconditions,Xeion irradiationismoreeffectivetomodulatetheSPRabsorptionofAgNPstogetherwiththeirstructures.ByusingXeionirradiationofthesynthesizedAgNPsatthesameenergybutatdifferentfluences,theeffects
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