algangan hemt微悬臂梁加速度计器件特性测试分析及结构优化 word格式.docxVIP

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2018-04-24 发布于上海
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algangan hemt微悬臂梁加速度计器件特性测试分析及结构优化 word格式

中北大学学位论文Testand AnalysisofPerformance ofAlGaN/GaNHEMT micro-cantilever-accelerometerdeviceand Optimization DesignAbstractInrecentyears,duetothecharacteristicsofthematerialexcellentinGaN,for example,mechanical,thermal,chemicalstabilityandbiologicalcompatibility, GaN-basedmicro-electromechanicalsystems(MEMS)hasbeenwidespreadconcern inacademiccircles.AlGaN/GaNheterostructurematerialsystemhavingalargeband leveldifferenceandahighmeltingpoint,sothatithas agreatpotentialforapplication inhigh-temperature,high-frequency,high-powermicrowaveelectronicdevices.At present,thedevicesarewidelyusedinthemicroinertialmeasurementunitcantilever structurewithfield-effecttransistorintegratedstructuretoachieveinertial measurementsignal.Highelectronmobilitytransistors(HighElectronMobility Transistor)asafield-effect transistor,havebeenwidelyusedincommunications, electronicsandotherfields,ithasthecharacteristicsofhigh-power,low-noise, high-frequency,high-speed.Theuseofelectromechanicalcouplingprincipleprepared AlGaN/GaN-basedHEMTmicro-accelerometerstructure,staticcharacteristicsof detection,analysis, giventheparametersofthestaticcharacteristics ofthe accelerometer,accordingtotheparameterstooptimizethedesignofthestructure,in ordertogetahighersensitivity,linearity,andlaidthefoundationforagreaterrangeof accelerometers.Firstly,applicationofAlGaN/GaNHEMTmicro-cantileverstructureofthe deviceelectromechanicalcouplingprinciple,reasonableexperimentalprogram designedtotestthestaticcharacteristics ofAlGaN/GaNHEMTmicro-accelerometer. OntheAlGaN/GaNHEMTaccelerationof0to10gofthestaticfrictiontest,the sensitivityoftheaccelerometerobtained0.12mA/g,indicatingthatthestructure sensitivitysmaller;Second,theanalysisoftheprocessofmicro-accelerometer, summedupthecausesofthemicro-structureofresidualstress,andtheuseoftheRamanstresstesterontheresidualstressofthemicro-structureweretested,draw residualstressonthedevicestructureandpropertiestheimpactofthefoundationfor thenextsteptoimprovethestructure;Third, onthisbasis,r