2011-1模电第4讲.pptVIP

P123例4.3.1 直流通路：电容开路，电感短路。 交流通路：一定频率范围较大电容视为短路，电压源短路，电流源开路。 交流负载线必通过静态工作点（相当于交流信号为0的点）。 作业：4.2.1，4.2.3，4.3.5 根据 IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流） 2. 电流分配关系 可以推出 共射极直流电流放大系数 则: ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 两个重要电流分配关系: 为了使三极管能够放大电流，必须满足外部条件： 发射结正偏 集电结反偏 3. 三极管的三种组态 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 共基极放大电路 4. 放大作用 若 ?vI = 20mV 电压放大倍数 使 ?iE = -1 mA， 则 ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， 当 ? = 0.98 时， 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于PN结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 共射极连接 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。发射结反偏。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线 (1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 1. 电流放大系数 4.1.4 BJT的主要参数 与iC的关系曲线 (2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const 1. 电流放大系数 (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE?vCB=const 当ICBO和ICEO很小时， ≈?、 ≈?，可以不加区分。 4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 4.1.4 BJT的主要参数 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 4.1.4 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 3. 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 (3) 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 温度对? 的影响 温度每升高1℃， ? 值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度