半导体测试与分析教程.pptVIP

用四探针法测量半导体电阻率应注意的问题 一、在电位探针与被测样品表面的接触界面处仍然存在着接触电阻。 ro是把接触面看成半球时的球半径，是一个μm的尺寸，因而接触电阻Rs的大小差不多是被测样品电阻率数值的千倍左右。 为了避免这个大电阻对电位测量的影响， 应选用高内阻数字电压表或电位差计来测量探针2、3之间的电位差。电位差计的阻抗要适中，阻抗太高时测量不灵敏，太低又容易在接触上产生足以影响精确度的压降，通常以阻抗不小于被测样品电阻率值十万到一百万倍为宜。 二、探针尖的处理： 以上的全部讨论都是从点电流源出发的，·亦即探针与被测表面的接触是半径很小的半球面，这就要求针尖十分锐利，其曲率半径须在50pm以下。 如果针尖很秃，其接触就有可能是某种任意形状的小平面或几个点，使电流源的性质发生变化。这种变化，必然引起电场性质的变化。同时，针尖太粗还可能导致针距的改变。所有这些都有可能带来测量误差。 采用钨针时，可用NaOH溶液电解腐蚀法形成合适的针尖。 三、探针须固定，并有一定的刚性。 其摆动不仅会造成针距的变化，而且会引起接触电阻的变化。 为了使探针与样品表面形成良好的欧姆接触，应在探针与被测表面之间施加一定的压力，一般为1—2N。 四、在测量过程中，电流探针有可能向被测样品注入少数载流于，需要极力避免。 对于高阻材料和少于寿命较高的材料，少子注入可能使电流探针附