半导体物理04节.pptVIP

考虑到Eg与温度T的关系，即设Eg=Eg (0) +βT，代入上式得 作出lnni ~1/T关系曲线, Eg (0)为外推至T=0K时的禁带宽度 随着温度的升高、本征载流子密度迅速地增加。 由于本征载流子密度随温度的迅速变化，用本征材料制作的器件性能很不稳定。所以，半导体器件一般都不用本征材料制造。 在室温附近： Si: T ↑， 8K ni↑ 一倍 Ge: T ↑， 12K ni↑ 一倍 一般半导体器件正常工作时，载流子主要来源于杂质电离。随着器件温度的上升，在保持载流子主要来源于杂质电离时，器件性能才可不失效。为此要求本征载流子浓度至少比杂质浓度低一个数量级。 硅平面管一般采用室温电阻率为1Ωcm的材料，其杂质浓度约为5×1015cm-3，根据本征载流子浓度与温度的关系可得硅器件的极限工作温度约为520K。 由于本征载流子浓度随温度迅速变化，用本征半导体材料制作的器件性能很不稳定，所以制造半导体器件一般材料适当掺杂的半导体材料。 本节小结 非简并半导体载流子的浓度 平衡态 非平衡态 本征半导体中的载流子 非简并半导体载流子的浓度 同理 1. 已知室温时，N型Si半导体的费米能级位于禁带中心线以上0.30ev处，试求出室温时： （1）导带电子浓度no； （2）价带空穴浓度po; （3）导带电子浓度与价带空穴浓度的乘积nopo 室温时Si半导体： 2.