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半导体物理学总复习课 知识点 基本概念: 闪锌矿结构，金刚石结构，有效质量，迁移率，施主能级，费米面，布里渊区，点缺陷，状态密度，直接复合，受主能级，空穴，费米分布，载流子的漂移，本征载流子，爱因斯坦关系，陷阱效应，回旋共振，热载流子 基本原理与公式 （1-33） （2-2） （2-3） 有效质量 施主电离能 受主电离能 费米分布 玻尔兹曼分布 * 这时费米分布函数转化为玻耳兹曼分布函数 此时,费米分布函数近似为 量子态密度 状态密度g(E)： 所以，导带底附近的状态密度为: 状态密度随电子的能量呈抛物线关系 EC gc(E) E 价带顶附近的状态密度可表为： 平衡时导带电子浓度 NC为导带的有效状态密度，Nc正比于T3/2 ，是温度的函数。 平衡时价带空穴浓度 NV为价带的有效状态密度 为空穴占据能量为EV的量子态的几率。 载流子浓度的乘积 式中禁带宽度Eg也随温度发生变化，故载流子浓度的乘积是温度的函数。 本征载流子浓度及费米能级 本征半导体特征 Eg随温度变化，故本征载流子浓度也随温度变化。 平衡时杂质半导体的载流子浓度 单掺杂n型半导体 单掺杂p型半导体 一般情况下（既掺施主杂质，又掺受主杂质） 平衡时制约载流子浓度的因素：掺杂类型与温度 低温弱电离区 中间电离区 强电离区 过渡区 高温本征激发区 掺 杂 分 类 温 区 分 类 杂质电离度随温度变化的关系（n型） 电子占据施主能级的概率fD(E) 未电离的施主浓度 已电离的施主浓度 + 各温区电离情况及载流子组分变化 （1）低温弱电离区：未完全电离区 （4）过渡温度区:完全电离区，开始有少量本征激发。 (3) 强电离区：完全电离区 (2) 中间电离区:未完全电离区 (5) 高温本征激发区： 各温区费米能级位置 （1）低温弱电离区：未完全电离区 （4）过渡温度区:完全电离区，开始有少量本征激发。 (3) 强电离区：完全电离区 (2) 中间电离区:未完全电离区 (5) 高温本征激发区： 单掺杂n型半导体在不同温度下的载流子浓度：重点在强电离区与过渡区 强 电 离 区 过 渡 区 先求多子（电子）浓度 再求少子浓度 先求多子（电子）浓度 得 再求少子浓度 单掺杂p型半导体在不同温度下的载流子浓度：重点在强电离区与过渡区 强 电 离 区 过 渡 区 先求多子（空穴）浓度 再求少子浓度 先求多子（空穴）浓度 得 再求少子浓度 杂质的补偿作用（ND NA） 强 电 离 区 过 渡 区 先求多子（电子）浓度 再求少子浓度 先求多子（电子）浓度 得 再求少子浓度 杂质的补偿作用（ NAND ） 强 电 离 区 过 渡 区 先求多子（空穴）浓度 再求少子浓度 先求多子（空穴）浓度 得 再求少子浓度 半导体的电导率 半导体的电导率 对于n型半导体（np） 对于p型半导体（pn） 对于本征半导体（n＝p＝ni ) 电导率的改变因素 图4-16 AB段: BC段: C段: 非平衡载流子的光注入 平衡时 光注入后从非平衡到平衡的过程 非平衡载流子的寿命 复合过程引起非平衡载流子的减少,随时间做指数衰减。 非平衡载流子的复合率:单位时间单位体积内复合消失的电子-空穴对的数目。 达到稳定状态 载流子复合率－载流子产生率＝载流子的净复合率＝非平衡载流子复合率＝?p/? 载流子的输运 爱因斯坦关系 扩散长度