厚膜沉积技术教程.pptVIP

现代所用的厚膜烧结炉均采用密闭的马弗炉(金属或石英)，如铬镍铁金属马弗炉等。炉子的选择需满足： a. 干净的炉内环境； b. 针对浆料的温度曲线，能够提供稳定和可控的温度； c. 稳定可控的气氛。 烧结过程包括加温、在最高温度下保温、降温三个阶段，通过烧结，固态物质在高温下产生固相反应，颗粒结成一体，达到最大的致密度和强度，并具有一定的电气特性。 1) 烧结过程 一般厚膜烧结的基本过程就是在一定气氛下进行热处理的过程，可概括为：低温阶段去除有机粘合剂；随着温度的升高，玻璃熔融，粉末颗粒相互粘结成链状结构或网状结构，并伴随各组分之间的化学反应及晶粒成长等过程，最后形成具有一定结构和性能的厚膜层，牢固的附着于基片表面。 以pd-Ag电阻为例，其烧结大致分为四个阶段： a. 干燥和低温预热阶段。这个阶段主要是溶剂挥发、有机粘合剂燃烧。一般到350摄氏度，此过程才基本完成。 b. 氧化阶段。在330摄氏度以后，开始氧化阶段，Pd逐渐被氧化生成PdO. 在350~400摄氏度范围内，Ag也逐渐被氧化。 c. 还原反应阶段。超过550摄氏度，玻璃料开始软化，逐渐熔融。超过520摄氏度，Pd和Ag的氧化物逐渐产生合金化反应，生成Pd-Ag合金，其含量随温度的上升近似成直线增加。同时，PdO含量随温度升高也继续增加。在800摄氏度以下，PdO含量通常比Pd-Ag合金含量多。 当温度高于600摄氏度以后，开始发生还原反应： 随温度的升高，PdO还原反应速率增大，在800摄氏度时，PdO急剧分解，放出大量氧气。故最高烧结温度应保持在750摄氏度左右。 在520~750摄氏度范围内，PdO和Pd-Ag合金结晶晶粒的大小随温度的上升成直线增加。 玻璃熔融后，由于玻璃对固体颗粒的润湿和流动，固体颗粒之间相互吸附，粘结起来，构成了”链状结构”。 d. 膜层凝固阶段。在750摄氏度保温一定时间后，即可开始降温，降温过程中，玻璃逐渐冷却硬化，到550摄氏度左右完全凝固，膜层牢固的附着在基片表面。 图示为 电阻烧结过程图。 (a)为印刷后浆料的状态，在玻璃大颗粒之间由有机载体树脂填充，树脂中混有作为电阻体主材料的微细 粉末。 (b)为膜经干燥、溶剂蒸发后的状态，在玻璃周围附着有 粉末及有机粘结剂。 (c)为玻璃软化温度附近，特别是颗粒度较小的玻璃软化、流动，玻璃颗粒靠近、密实化。 (d)为在更高温度下， 粉末在玻璃颗粒间凝聚、收缩形成导电网络。 2)影响烧结的因素 a. 最高烧结温度 最高烧结温度必须高于有机粘合剂的燃烧温度与玻璃料的软化点。最高温度烧结应在有机粘合剂完全燃尽后才开始，否则燃烧产生的气体将影响烧结气氛。一般在玻璃料熔融前就应该完全除去有机物或其他媒质中的碳。对厚膜来说，最高烧结温度一般高于玻璃软化点100摄氏度左右，以使玻璃料熔融后充分浸润导电颗粒，起到良好的粘结作用。 最高烧结温度的提高会引起方阻的降低。其原因是最高烧结温度提高时，玻璃粘度下降，改善了玻璃对分散在其中的导电颗粒的浸润，使更多的导电颗粒互连接组成导电网络，引起方阻下降。 最高烧结温度过低，通常称为”生烧”。此时导电网络形成不良，方阻相当高，膜层结构不稳定，性能低劣；最高烧结温度过高，称为“过烧”。此时晶粒大小悬殊，膜层结构极不均匀，同时氧化物可能分解放出气体，使膜层凹凸不平。 b. 保温时间的确定 在最高烧结温度下恒温对膜层进行烧结的时间称为保温时间。保温时间的确定要保证使反应进行充分，膜层结构稳定，晶粒大小均匀。对于含有玻璃料的厚膜，保温时间以短为宜，以免引起浆料中的玻璃“上浮”到表面，从而降低膜层的附着力。 c. 气氛的选择 主要根据材料本身的性质以及对烧结膜性能的要求来决定。气氛可分为氧化性气氛、还原性气氛和中性气氛三类。例如，Pd-Ag电阻必须在氧化气氛下烧成，因为其导电网络由PdO,Pd-Ag合金组成，在烧结过程中需要氧化；Cu导线需在还原气氛中烧成，否则生成的CuO会降低导线的导电性能。 d. 粉末颗粒特征 包括粒度大小，粒度分布，表面状态，内部结晶结构等。粉末颗粒的特性及其烧结后的性能很大程度上取决于粉末制备方法。颗粒形状以球形最好，因为更易被浸润，晶粒长大也较均匀。 3) 烧结炉 干燥后的电路片可用几种方法烧成，最普通的方法是用小型箱式炉或传送带隧道炉。 箱式炉结构简单，炉温偏差大，不易获得性能再现性良好的厚膜元件或互连线。 传送带隧道炉具有生产连续性好，效率高