黑硅材料的制备及特性研究-光学工程专业论文 word格式.docxVIP

摘要摘要硅是世界上储量最丰富的元素之一，广泛的应用于光电探测、光通信、微电 子设备等重要领域。但是由于晶体硅的本身的性质，使得晶体硅表面对可见-红外 光的反射很高，极大的限制了硅基光电器件的灵敏度、可用波段范围以及转换效 率等关键技术指标。近年来，一种叫黑硅的微结构硅引起了人们极大的关注，黑 硅由于对可见-红外光波段的光有着其极高的吸收，可以广泛应用于生物，红外探 测，太阳能电池，药学，微电子，农业和安全检测等方面。目前制备黑硅的方法 多种多样，但都有一定的局限和不足。本文提供了一种新型制备黑硅的方法，利 用传统的湿法腐蚀技术，通过表面图形化，得到可见-近红外吸收在 90%以上的黑 硅材料，找到了一种工艺过程简单，可行和经济的制备黑硅的方法。本文的主要工作内容如下：1、设计了直径2μm、间隔2μm和直径1μm、间隔4μm两种尺寸的掩模版，使用 光刻技术进行图形转移，用反应离子刻蚀技术刻蚀Si3N4薄膜，制备了湿法刻蚀的 掩模层。2、使用KOH腐蚀系统制备了规则排列的微阵列结构，并用SEM进行表征。研 究了KOH浓度、反应温度、腐蚀时间等因素对样品微观形貌的影响，获得了控制 表面形貌的基本实验参数及规律。3、进一步使用 HF 腐蚀系统，利用金颗粒催化原理，对微结构表面进行改性。4、利用积分球测试系统，研究了KOH腐蚀系统制备的黑硅样品和进一步用HF 腐蚀系统对样品微结构表面改性后的可见-近红外的光学吸收特性：KOH腐蚀系统 制备的黑硅样品在可见-近红外波段吸收率为80%以上，进一步用HF腐蚀系统对样 品微结构表面改性后在可见光波段光吸收率在95%以上，在近红外波段光吸收率也 在90%以上。5、分析得出了黑硅样品微观形貌增加光吸收的原因和机理。 关键词：黑硅、湿法刻蚀、金催化、光学吸收ABSTRACTABSTRACTSilicon, being one of the most abundant elements on the earth, is widely used in light detectors, optical communications, micro-electronic equipments, and other important fields. However, due to the nature of crystalline silicon, its reflectivity for light between visible and infrared is so high that the key technical indicators, e.g. sensitivity, available spectrum range and conversion efficiency, of silicon-based optoelectronic devices are severely diminished. In recent years, a kind of micro-structured silicon – black silicon has drawn great attention. Because of its strong absorption over the band from visible to infrared, black silicon can be widely used in various fields, like biology, infrared detection, solar cells, medicine, microelectronics, agriculture, security check, and so on. At present, there are various ways to prepareblack silicon，yet none of them is perfect. This thesis presents a novel method to prepareblack silicon by the traditional wet etching technique. Through surface texturized, black silicon material with above 90% absorption from visible to near-infrared band has been obtained. A simple and economically feasible method for the fabrication of black silicon is proposed.The main work and