低频电子电路第二章题解(何).ppt

* ■ 《低频电子电路》 第二章 题 解 ----------人民邮电出版社 21世纪高等院校信息与通信工程规划教材 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 2-2 有一锗晶体管的ICBO=5?A，α=0.98。试求它的ICEO与? 值。 解： 2-5 当温度升高时，晶体管参数ICBO、? 、IC将如何变化？(提示：根据导电原理和二极管导电特性定性分析) 解： 温度每升高10 ?C ，ICBO 增大一倍。 由于 温度每升高1?C，? ?/? 增大(0.5 ? 1)% 。 所以，温度升高，IC 将增大。 2-6 问：⑴ 已知某电路中未损坏晶体管的各端电位如题图2-1 (a) (b) 所示，请判断该晶体管所处的工作状态；⑵ 处于放大状态的晶体管各端电位如题图2-1 (c) (d) 所示，请标明该晶体管各电极名称、晶体管类型和制造晶体管材料类型。 +0V +11V -0.7V (a) +4.7V (b) +4.7V +4.9V (+4V) (+9V) (+4.2V) (c) (-10V) (d) (-5V) (-5.7V) 解： +0V +11V -0.7V (a) +4.7V (b) +4.7V +4.9V 发射结正偏，集电结反偏。晶体管工作在放大状态； 发射结正偏，集电结零偏。晶体管工作在临界饱和状态； (+4V) (+9V) (+4.2V) (c) 高 中 低 b e c 高 中 低 (+9V) (+4.2V) (+4V) (-10V) (d) (-5V) (-5.7V) 高 中 低 b e c 高 中 低 　 (-5.7V) (-5V) (-10V) 三极管类型是 NPN 锗管 三极管类型是 PNP 硅管 2-9 基区调宽效应对晶体管特性有何影响？ 答：基区调宽效应使晶体管特性曲线在放大区略微上 翘。即在晶体三极管的放大区，随着 vCE (集电极 和发射极之间电压降)增大，iC (集电极电流)将略 微增大。 或者：基区调宽效应是——在晶体管的放大区， 随着集电结反偏的增加，基极电流 iB 略微减小, 集电极电流 iC略微增大。 2-11 场效应管的输出特性曲线如题图2-3所示，请画出相应的转移特性曲线，指出管子类型，写出饱和区转移特性表达式和相应的条件。 （c） （d） 解：(a) 图相应的转移特性曲线如下 0 4 1 1 2 2 3 3 饱和区转移特性表达式和相应的条件如下： 由转移特性曲线可以看出，管子类型为N沟道增强型MOS管。 条件： vGS VGS(th) 0 vDS vGS–VGS(th) 0 解：(b) 图相应的转移特性曲线如下 0 4 1 -1 -3 2 3 -2 饱和区转移特性表达式和相应的条件如下： 由转移特性曲线可以看出，管子类型为P沟道增强型MOS管。 条件： vGS VGS(th) 0 vDS vGS–VGS(th) 0 解：(c) 图相应的转移特性曲线如下 0 4 1 -1 -2 2 3 -3 饱和区转移特性表达式和相应的条件如下： 由转移特性曲线可以看出，管子类型为N沟道结型场效应管。 条件： VGS(th) VGS 0 VDS VGS–VGS(th) 0 解：(d) 图相应的转移特性曲线如下 0 4 1 -1 2 3 2 1 饱和区转移特性表达式和相应的条件如下： 由转移特性曲线可以看出，管子类型为N沟道耗尽型MOS管。 条件： vGS VGS(th) ， VGS(th) 0 vDS vGS–VGS(th) 0 2-11 测得在放大状态下，MOS场效应管各管脚的电位如题图2-4所示，请判断这是一种什么类型的场效应管？并将相应的电路符号绘在图中，并标出个管脚的符号及衬底箭头。 解：管子类型为N沟道耗尽型MOS管。 G U S D 由于： VGS = 3-3 = 0 V V DS = 10-3 = 7 V 0 S G U D 电路符号 2kΩ