单片机第二章MCS-51系列单片机硬件结构.ppt

1）随机存取存储器RAM 双极型RAM MOS型RAM（静态RAM、动态RAM） 2）只读存储器ROM 掩膜只读存储器ROM 可编程序只读存储器PROM 可擦写只读存储器 EPROM（紫外线擦写）、E2PROM（电擦写） 2. MCS-51存储器结构 【存储器映像】 1）程序存储器（片内0000H～0FFFH） 8051单片机内部有4KB的掩膜ROM、8751单片机内部有4KB的EPROM，而8031内部没有程序存储器，必须外接程序存储器。 当 引脚接高电平时，CPU将首先访问内部程序存储器，在PC超过0FFFH单元时，CPU将自动转入访问外部程序存储器。 当 引脚接低电平时，所有取指操作均指向外部程序存储器。对于8031/8032， 必须接低电平（接地）。 从0003H～0032H单元被保留专用于中断服务程序。 A.内部数据存储器 【特殊功能寄存器SFR】 B.外部数据存储器 由于MCS-51系列单片机内部数据存储器只有128字节，往往不够用，这就需要扩展外部数据存储器，外部数据存储器最多可扩至64KB。外部数据存储器的访问地址可由工作寄存器 Ri（8位）或数据指针DPTR（16位）提供，前者的寻址空间256字节，后者可寻址64KB。Ri由P0口输出；DPTR的DPL由P0口输出，DPH由P2口输出。读/写操作的数据由P0口输入/输出，P0口为分时复用。 3）MCS-51单片机系统的存储器结构特点 数据存储器和程序存储器分开，各有自己的寻址系统、控制信号和功能。 存储器有内外之分。 分开的存储结构更有效地使用较大而固定的程序和频繁地处理大量的数据或变量。 MCS-51单片机是由芯片内存储器和芯片外扩展存储器构成单片机应用系统的整个存储系统。（参见存储器映像图） 【存储器映像】 工作寄存器区 一共4组，编号：工作寄存器组0～3 一组8个字节，用同一组编号R0～R7表示，某一时刻只能选用一组作为当前工作寄存器，由RS1，RS0决定。 地址：00H～1FH（32个字节） 两种使用方法： MOV A，R0 或 MOV A，00H 低128单元：00H～7FH 高128单元：80H～FFH （1）内部数据存储区低128单元 位寻址区 字节地址：20H～2FH（16个字节） 位地址：00H～7FH（为位操作指令准备，是位处理器的数据存储空间） 例如：清除位地址00H单元 CLR 00H 而对片内的00H字节清零，则 MOV 00H，＃00H 或 ANL 00H，＃00H 用户RAM区 供用户使用的一般RAM区，30H～7FH。 字节地址使用，堆栈区一般常开辟在这个区内。 （看下图） 【存储器区的低128字节】 在高地址段128～255共128个字节单元，特殊功能寄存器只占一部分，另一部分为空。对于非SFR不能进行读写操作；对于8052两部分共存，依靠不同的寻址方式实现区别访问。 右图给出了可直接位寻址的SFR的位地址空间→ 可参见前：PC指针、A、B、PSW、DPTR等等 。 （2）内部数据存储区高128单元 2.4 MCS-51基本电路和引脚电路 先接电源 再接时钟脉冲 复位电路 存储器设置电路 先来看看基本电路吧！ 使用内部振荡电路 时钟脉冲电路（一） 时钟脉冲电路（二） 使用外部时钟脉冲产生电路 18脚：当采用外部时钟时，对于HMOS单片机，此引脚接地；对于CMOS 单片机，此引脚作为外部振荡器信号的输入端。 19脚：当采用外部时钟时，对于HMOS单片机，此引脚作为外部振荡器信 号的输入端；对于CMOS单片机，此引脚悬空不接。 复位电路（三） 右边为Power On Reset电路左边为手动Reset电路 当单片机振荡器工作时，该引脚上只要出现持续两个机器周期的高电平，就可以 实现复位操作，使单片机回到初始状态。复位后应使此引脚的电平为小于等于0.5 V的低电平，以保证单片机正常工作。上电时，高电平必须持续10ms以上才能保 证有效复位。 8051基本电路的元件表 TACK SW. 1个 a接点 按钮开关 6 ? 1个 100K? 电阻器 5 ? 1个 0.1?F/25V 电容器 4 ? 2个 30pF 陶瓷电容器 3 ? 1个 12M Hz 石英振荡晶体 2 或89S51 1个 24M Hz 89C51 1 备 注 数 量 规 格 名 称 序 号 下面我们来看下引脚电路 下图为P0口的某位P0.n(n=0~7)结构图，它由一个 输出锁存器、两个三态输入缓冲器和输出驱动电路 及控制电路组成。从图中可以看出，P0口既可以作 为I/O用，也可以作为地址/数据线用。 D Q CLK Q