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（２）存取时间 反映存储器的工作速度，通常用读(或写)周期来描述。 读(或写)周期：连续两次读取（或写入）操作所间隔的最短时间。 （２）地址译码器 为了区别不同的字，将存放在同一个字的存储单元编为一组，并赋予一个号码，称为地址。 地址的选择是借助于地址译码器来完成的。 地址码的位数n与可寻址数N之间的关系为： N=2n。 　（３）片选与读/写控制电路（I/O电路） 7.3.3 RAM集成芯片HM6264 CMOS静态RAM, 存储容量：8K×8位 13条地址线， 存储字数为： 213＝8Ｋ 8条数据线， 每字长度为8位 结论： ROM有几个数据输出端，即可获得几个逻辑函数的输出。 方法： 列出函数的真值表，以最小项相或的原则，即可直接画出存储矩阵的阵列图。 * * 7.1　概　述 7.1.1　半导体存储器的特点与应用 第7章　半导体存储器 　　半导体存储器是用半导体器件来存储二值信息的大规模集成电路。 特点：集成度高、体积小、可靠性高、价格低、外围电路简单且易于接口、便于自动化批量生产。 应用：半导体存储器主要用于电子计算机和某些数字系统，存放程序、数据、资料等。 　　存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛。 软磁盘 磁带 硬盘 内存条 光盘 优盘 数码相机用SM卡 7.1.2 半导体存储器的分类 　　（１）按制造工艺分类： 　　双极型：工作速度快、功耗大、价格较高。 　　MOS型：集成度高、功耗小、工艺简单、价格低。 （２）按存取方式分类： 顺序存取存储器(SAM)：如“先入先出”型和“先入后出”型。 随机存取存储器(RAM)：包括静态存储器(SRAM)和动态存 储器(DRAM) 。 只读存储器(ROM)：包括固定ROM、可编程ROM(PROM)和可擦除的可编程ROM(EPROM)。 （１）存储容量 存储器包含基本存储单元的总数。 一个基本存储单元能存储１位的信息，即一个“0”或一个“1”。 存储器的读写操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。 例如： 字数： 字长：每次可以读(写)二值码的个数 总容量 7.1.3 半导体存储器的主要技术指标 7.3.1 RAM结构 　　（１）存储矩阵 　　将存储单元按阵列形式排列，形成存储矩阵。 　RAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路（I/O电路）三部分组成。 逻辑图 7.3　随机存取存储器（RAM） Random Access Memory 图7-3-1 256×1位RAM示意图 X地址译码器 Y 地址译码器 1,1 A0 A1 A2 A3 X0(行) X15 T0 T0 T15 Y0 (列) ? ? ? Y15 A4 A5 A6 A7 位线 行 存储矩阵 I/O电路 G1 D G4 G5 G2 I/O R/W D 1 EN CS 16,1 列 1,16 T15 位线 16,16 1 EN 1 EN G3 ? ? ? ? 返回 1048576(1024K=1M) 20 524288(512K) 19 262144(256K) 18 131072(128K) 17 65536(64K) 16 32768(32K) 15 16384(16K) 14 8192(8K) 13 4096(4K) 12 2048(2K) 11 1024(1K) 10 可寻址数2n 地址码位数n 地址码位数与寻址数关系 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 HM 6264 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 GND VDD R/W CS2 A8 A9 A11 OE A10 CS1 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 输出允许端 高阻悬浮 1 1 1 0 输出禁止 高阻悬浮 × × 0 × 维持 (未选中) 高阻悬浮 × × × 1 维持 (未选中) 输入数据 0 × 1 0 写 (选中) 输出数据 1 0 1 0 读 (选中) I/O R/W OE CS2 CS1 工作状态 HM6264工作状态 ? ? ? ? ? ? 5V 7.3.4 RAM存储容量的扩展 　　（１）位扩展 D15 D9 D8 ··· D7 D1 D0 ··· 1 1 R/W CS1 A0 A12 ··· 图7-3-6 RAM的位扩展 　　适用于字数够用，但每字的位数（字长）不够的情况。 　　如： 8K×8 → 8K×16 I/O7 I/O1 I/O0 VDD ··· OE GND R/W A12 A0 CS1 CS2 ··· I/O7 I/O1 I/O0 VDD ···