数电05(TTL逻辑门).ppt

3、静态电压传输特性 3、静态电压传输特性 * 3.2 TTL逻辑门 3.2.1 BJT的开关特性 3.2.2 基本BJT反相器的动态特性 3.2.3 TTL反相器的基本电路 3.2.4 TTL逻辑门电路 3.2.5 集电极开路门和三态门 3.2.6 BiMOS门电路 补充一： 开门电平Von：使输出端处于低电平上限所允许的最低输入电压. 关门电平Voff：使输出端处于高电平下限所允许的最高输入电压. 补充二：输入负载特性曲线，开门电阻Ron ，关门电阻Roff 输入负载特性(uRi= f（Ri）)是指： 逻辑门输入端与信号源之间或输入端与地之间接一电阻Ri，Ri两端的电压uRi在一定范围内随Ri阻值变化而变化的关系曲线。 Ri VCC 以Ri接地为例 当Ri较小时，uRi也较小，仍属于低电平。 当Ri=0，即uRi =0V，相当输入低电平。 若Ri继续增加，当uRi=VILmax时，对应的Ri称为关门电阻Roff。 Ri 即：若Ri≤Roff，Ri的接入相当于该输入端为低电平。 VCC Ri Ri VCC Ri 若Ri继续增大，满足URi=VIHmin时，Ri的接入相当于该输入端为高电平，则对应的Ri称为开门电阻Ron。 对于不同的TTL系列，Ron和Roff的数值有所不同。一般可以认为Ri≥2kΩ，为高电平输入；Ri≤500Ω，为低电平输入。 即：若Ri≥Ron，电阻Ri的接入相当于该输入端为高电平。 显然，当Ri=∞时（输入端悬空），相当输入端接入高电平； 当Ri=0时（输入端接地），相当输入端接入低电平。 注意，以上数据对CMOS门不适用。 BJT的开关特性 iB=0，iC?0，vO＝VCE≈VCC， c、e极之间内阻为几百千欧， 近似于开路，相当于开关断开。 vI=（0V~vth）时: BJT的开关特性 集电极饱和电流： 基极临界饱和电流： BJT的开关特性 iBIBS，iC=ICS，vO＝VCE≈0.2~0.3 V ， c、e极之间内阻为几百欧， 近似于短路，相当于开关闭合。 vI很大时，例如vI =5V时: iC＝ICS≈ 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 可变 很大，约为数百千欧，相当于开关断开 c、e间等效内阻 VCES ≈ 0.2~0.3 V VCE＝VCC－iCRc VCEO ≈ VCC 管压降 且不随iB增加而增加 iC ≈ ?iB iC ≈ 0 集电极电流 发射结和集电结均为正偏 发射结正偏，集电结反偏 发射结和集电结均为反偏 偏置情况 工作特点 iB iB≈0 条件 饱 和 放 大 截 止 工作状态 BJT的开关条件 0 iB 2. BJT的开关时间 从截止到导通 开通时间ton(=td+tr) 从导通到截止 关闭时间toff(= ts+tf) BJT饱和与截止两种状态的相 互转换需要一定的时间才能完成。 CL的充、放电过程均需经历一定 的时间，必然会增加输出电压?O波 形的上升时间和下降时间，导致基 本的BJT反相器的开关速度不高。 3.2.2基本BJT反相器的动态性能 若带电容负载 故需设计有较快开关速度的实用型TTL门电路。 输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式的输出级。用于提高开关速度和带负载能力。 中间级T2和电阻Rc2、Re2组成，从T2的集电极和发射极同时输出两个相位相反的信号，作为T3和T4输出级的驱动信号； R b1 4k W R c 2 1.6k W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 负载 R e2 1K W V CC (5V) 输入级 中间级 输出级 3.2.3 TTL反相器的基本电路 1. 电路组成 输入级T1和电阻Rb1组成。用于提高电路的开关速度 截止 (1) 输入为高电平，如vI=3.6V vI vO VCC T1 T2 T4 T3 D 负载 Rb1 Rc2 Rc4 Re2 3.6V 全导通，2.1V 倒置的放大状态 正向偏置 反向偏置 2.1V =0.2V 0.9V 0.2V 0.7V 实现了： 输入高电平，输出低电平。(开态) 饱和 P* * 1.4V 0.2V 2. TTL反相器的工作原理 vI vO VCC T1 T2 T4 T3 D 负载 Rb1 Rc2 Rc4 Re2 (2) 输入为低电平，如vI=0.2V 0.2V 0.9V 截止 导通需2.1V 导通 0.7V =5V-1.4V =3.6V 实现了： 输入低电平， 输出高电平。 (