4.3 太阳电池的种类和制造方法培训资料.ppt

? GaAs太阳电池的发展已有40余年的历史。 ? 20世纪50年代首次发现GaAs材料具有光伏效应后，JENNY等首次制成 GaAs太阳电池，其效率为6.5％。 ? 60年代GOBAT等研制了第1个掺锌GaAs太阳电池，但转换效率仅为9 ％～10％ ，远低于27％ 的理论值 ? 70 年代，WOODAL等实现转换效率提高至16％,开创了高效率砷化镓太 阳电池的新纪元。 ? 20世纪80年代后，最高效率已达到29％。 4.3.4 GaAs太阳电池 4.3 太阳电池的种类和制造方法 目前商用的太阳电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池、非晶硅太阳电池、碲化镉电池以及铜铟硒电池等。目前在研究的还有燃料敏化钠太阳电池、多晶硅薄膜以及有机太阳电池等。但是实际上应用的主要还是硅系材料的电池，特别是晶体硅太阳电池。 ? ? ? ? 太阳能电池对材料的要求 半导体材料的禁带不能太宽 要有较高的光电转换效率 材料本身对环境不造成污染 材料便于工业化生产且材料性能稳定 62 太阳电池的分类 种类 第一代太阳 单晶硅 效率 24.7%（UNSW） 特点 商业化，效率高，成本高 电池 Mono-crystalline 16%--17% 多晶硅 Poly-crystalline 12%-17% 商业化，产品多样 第二代太阳 电池 （薄膜太阳 电池） 第三代太阳 电池 非晶硅 Amorphous silicon 染料敏化 DSSC 铜铟硒 CIS 有机 Organic 砷化镓 GaAs 量子点太阳电池 Quantum Dots 13% 5%-8% 12% 8%-12% 6.5% 超过30% 概念 价格低但有衰退 价格很低但不稳定 铟是稀有金属 柔性，但不稳定 效率很高，价格贵 理论极限效率高达68% 热载流子太阳能电池 Hot-carrier 概念 各类太阳能电池的制造方法及研究状况 种类 材料 单晶 硅 太阳能 单电池 效率 15~24% 太阳能 电池模 块效率 13~20% 主要制备方 法 表面结构化 发射区钝化 优点 效率最高 技术成熟 缺点 工艺繁 琐 分区掺杂 成本高 硅系 太阳 能电 池 多晶 硅 非晶 硅 10~17% 8~13% 10~15% 5~10% 化学气相沉 积法 液相外延法 溅射沉积法 反应溅射法 PECVD法 LPCVD法 无效率衰退 问题 成本远低于 单晶硅 成本较低 转换效率较 高 效率低 于单晶 硅 稳定性 不高 种类 材料 单电 池效 模块效率 主要制备 方法 优点 缺点 率 多元化合 物薄膜太 阳能电池 砷化镓 碲化镉 铜铟硒 19~ 32% 10~ 15% 10~ 12% 23~30% 7~10% 8~10% MOVPE和 LPE技术 真空蒸镀 法和硒化 效率较高 成本较单 晶硅低 易于规模 生产 价格低廉 性能良好 原材料镉 有剧毒 原材料来 源比较有 法 工艺简单 限 纳米晶化学太阳能电池 8~11% ~8% 溶胶凝胶 法 水热反应 溅射法 成本低廉 工艺简单 性能稳定 聚合物多层修饰电极型 太阳能电池 3~5% 处于研发 当中 易制作 材料广泛 成本低 寿命短 4.3.1 单晶硅太阳电池 单晶硅太阳能电池是最早发展起来的。1954年，恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室，首次制成了实用的单晶太阳电池，效率为6%，这也是世界上第一个实用的太阳能电池。目前，单晶硅电池是除了GaAs以外效率最高的太阳能电池，稳定性好，并且实现了规模化生产。 单结晶硅太阳电池 SINGLE CRYSTAL 最新动态是单晶硅向超薄、高效发展。不久将来，可有100um左右甚至更薄的单晶硅电池问世。德国的研究已经证40um的单晶硅电池的效率可达20%，有可能借助改进的生产工艺实现超薄单晶硅电池的工业化生产，并可能达到已在实验室获得的效率值。 单晶硅电池在实验室实现的转换效率可达24.7%，为澳大利亚南威尔士大学创造并保持。 单晶硅电池的基本结构多为n+/p型，多以p型单晶硅片为基片，其电阻率范围为1-3Ω·cm，厚度一般为200-300um。 由于单晶硅材料大都来自半导体工业退下的废次品，因而一些厂家利用的硅片厚度达到0.5-0.7mm，由于这些硅片的质量完全满足太阳电池的要求，用来做太阳能电池可得到很好的效果，一般很容易达到15%以上。 单晶硅太阳电池的基本结构