山东农业大学《集成电路设计基础》3半导体，掩模制版.pptVIP

本征半导体（结构） 本征半导体（载流子） 本征半导体（载流子） 杂质半导体 杂质半导体： 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著变化。 原因：掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加了。 N型杂质半导体 P型杂质半导体 PN结（1） PN结（2） （1）正向电压 （2）反向电压 PN 结的伏安特性 二极管的等效电路 MOS晶体管 MOSFET 【通常简写为MOS】： MOS的概念 2、MOS的结构 3、MOS的导电原理（以NMOS为例） 3、MOS的导电原理（以NMOS为例） 3、MOS的导电原理（以NMOS为例） NMOS的伏安特性（长沟道） CMOS反相器初瞥 一、电路结构 集成电路制造工艺 代客户加工（代工）方式 掩模与流片 代工单位根据设计单位提供的GDS-Ⅱ格式的版图数据，首先制作掩模（Mask），将版图数据定义的图形固化到铬板等材料的一套掩模上。 一张掩模一方面对应于版图设计中的一层的图形，另一方面对应于芯片制作中的一道或多道工艺。 在一张张掩模的参与下，工艺工程师完成芯片的流水式加工，将版图数据定义的图形最终有序的固化到芯片上。这一过程通常简称为“流片” 参数测试和性能评估 设计单位对芯片进行参数测试和性能评估。符合技术要求时，进入系统应用。从而完成一次集成电路设计、制造和测试与应用的全过程。 多项目晶圆MPW 多项目晶圆MPW（multi-