山东农业大学《集成电路设计基础》7mos电容.pptVIP

上节回顾 器件 二极管 MOS 工作区域 沟道长度 输入特性和输出静态特性 电阻（线性）工作区 条件： VgsVt， VdsVgs-Vt 饱和区 MOS 器件中的其他二级效应 1.迁移率变化 影响迁移率的因素: 1. 载流子的类型 2. 随掺杂浓度增加而减小 3. 随温度增加而减小 4. 随沟道纵向、横向 电场增加而减小 2.速度饱和 速度并不总是与（横向）电场强度成正比 迁移率在高电场强度时减小： 速度饱和的作用 长沟器件和短沟器件的区别 长沟道器件：沟道夹断饱和 短沟道器件：载流子速度饱和 1. 短沟器件中，速度饱和先于夹断饱和 2. 速度饱和点在漏端处 3. 当源漏电压上升时,饱和点向源端移动 ID 与VDS 的关系 ID 与VGS 的关系 4.亚阈值导通 p71 亚阈值导通 MOSFET 强反型与弱反型 ? 强反型VGS VT – 线性(电阻区) VDS VDSAT – 饱和(常数电流) VDS ≥ VDSAT ? 弱反型(亚阈值) VGS ≤ VT – 与VGS 呈指数关系，与VDS 呈线性关系 手工分析模型 手工分析模型和SPICE仿真的对比 PMOS 晶体管电流－电压特性 开关模型 6 热载流子效应 p83 原因： 1．漏端强电场引起高能热电子与晶格碰撞产生电子/空穴对，引起衬底电流． 2．电子在强纵向电场作用下穿过栅氧，引起栅电流 影