山东农业大学《集成电路设计基础》12.pptVIP

上节回顾 CMOS反相器 电压传输曲线 CMOS反相器VTC 确定VIH和VIL的近似计算 反相器增益 影响传输特性的因素-电源电压 降低电源电压，使VTC 特性改善 过低的电源电压（0.1V时）使VTC 明显变差 影响传输特性的因素-工艺偏差 CMOS反相器：瞬态分析 影响串联反相器的电容 密勒效应 本征负载与外部负载 晶体管等效电阻（p76） 晶体管等效电阻 1、电阻反比于W/L 2、VDDVT+VDSAT/2时， 电阻趋向与VDD无关的常数 3、VDD接近VT时，电阻急剧增加 用做开关的晶体管电阻 瞬态响应 延时与VDD的函数 减小门传播延时的方法 减小CL 内部扩散电容 互联线电容 扇出电容 增加晶体管的W/L比 自载效应 提高VDD PMOS和NMOS宽度比值对延时的影响 本征延时与负载延时(p150) 本征延时与负载延时 提高放大系数提高反相器性能 反相器链的尺寸优化 延时公式 电子与通信工程系 取决于工艺参数 电源电压以及晶体管尺寸只能 产生很小影响 降低电源电压将增加延时 电源电压较低时，VTC 对器件参数的变化较为敏感 降低电源电压虽降低系统内部噪声（如串扰），但 外部噪声并不改善。 当MOS宽度放大S倍 Req=Rref/S S 栅电容与本征电容之间的关系 = 比例系数，深亚微米工艺下约等于1 等效扇出，负载电容与本征电容的比值 电子与通信工程系