山东农业大学《集成电路设计基础》8特征尺寸缩小.pptVIP

上节回顾 晶体管的二次效应 迁移率变化 速度饱和 亚阈值导通 晶体管电容 栅电容 结构电容 沟道电容 栅电容-覆盖电容 栅电容-沟道电容 栅电容-沟道电容 结电容 源-漏电阻 工艺偏差 淀积、扩散不均匀 光刻有限分辨率 同个wafer，甚至于同一个芯片上的晶体管也 会有差别 解决方法：悲观-最坏情况也可满足性能需求 特征尺寸缩小 工艺每2～3 年出现一代 特征尺寸缩小30％（为原来的0.7 倍） 门延时减少30％ （工作频率提高43％） 晶体管密度翻一倍 每次翻转消耗的能量减少65％ （在频率提高43％的情况下功耗节省50％ ） 尺寸缩小为了 （1）尺寸更小（2）速度更快 （3）功耗更低（4）成本更低 器件的尺寸缩小 恒场律（全比例缩小）：理想模型，尺寸和电压按同一比例缩小 恒压律至今仍是最普遍的模型，仅尺寸缩小，电压保存不变 一般化对今天最实用，尺寸和电压按不同比例缩小 （一）恒场律（CE 律） （1）原理： 1．所有尺寸（纵，横，垂直）均÷ S 2．器件的（电源）电压÷ S 3．衬底浓度× S 恒场率所得到的结果 恒压缩小 (二) 恒压律: 1. V D D 保持常数 2. 所有尺寸( W , L , t O X ) ÷ S 3. 衬底浓度提高S2 倍 特征尺寸降低，电源未降低 速度饱和导致保持电压不变并不能提高很多性能 功耗提高 恒压律的结果 恒压律的优点