山东农业大学《集成电路设计基础》6器件.pptVIP

上节回顾 设计规则 Design Rule Check 空间的转换 封装类型 各种芯片载体类型的参数 多芯片模块（Multi-Chip Modules，MCM） MCM多芯片模块 封装发展的变迁 Iphone 5电路板 封装中的热学问题 封装存在热阻 △T=Tchip-Tenv=θQ，θ为封装热阻 单位℃ /W 其他一些散热手段 工艺发展趋势 铜互连与低K介质 绝缘体上硅（SOI） 三维集成电路 先进的金属工艺 双大马士革 绝缘体上硅 FIN-FET 远期展望-3D集成电路 第三章 器件 二极管 静态特性 手工计算可采用恒压降模型 动态特性-电容 耗尽区电荷（VD在正偏置时为正） 动态特性-电容 大信号耗尽区电容 MOS MOS（FET）晶体管 MOS输入特性和输出静态特性 电阻（线性）工作区 条件： VgsVt， VdsVgs-Vt 饱和区 电子与通信工程系 1 2 3 4 5 6 7 40条引线 的DIP 自然通风 38 ℃ /W 强迫通风 25 ℃ /W 陶瓷PGA 热阻 15-30 ℃/W 热管 水冷 数字集成电路中最常见的寄生器件 理想二极管模型 简化的恒压降模型 =0.7 通常难以得到解析解， 需要用数值法进行迭代求解 耗尽区宽度 最大电场 内建电势 掺杂浓度 A acceptor D donor 半导体