山东农业大学《集成电路设计基础》4工艺上.pptVIP

上节回顾 PN结 MOS结构 工艺 单晶制备 外延生长 掩模制版 3.4 光刻(Lithography) 光刻 是集成电路加工过程中的重要工序。 作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。 光刻对集成电路图形结构的形成，如各层薄膜的图形及掺杂区域等，均起着决定性的作用。 特征尺寸 通常可用光刻次数及所需掩模的个数来表示某生产工艺的难易程度。 集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小，也与光刻技术的近一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的技术水平。 光刻的要求 对光刻的基本要求： （1）高分辨率 （2）高灵敏度 （3）精密的套刻对准 （4）大尺寸硅片上的加工 （5）低缺陷 光刻步骤 光刻步骤 简介 （1）涂光刻胶 （2）曝光 （3）显影与后烘 （4）刻蚀 （1）涂光刻胶 首先使用旋涂技术对晶圆涂光刻胶。光刻胶一般有两种： ----正性（Positive）光刻胶 ----负性（Negative）光刻胶 正性和负性光刻胶 正性和负性光刻胶 正性光刻胶受光或紫外线照射后感光的部分发生光分解反应，可溶于显影液，未感光的部分显影后仍然留在晶圆的表面，它一般适合做长条形状