山东农业大学《集成电路设计基础》5工艺下.pptVIP

上节回顾 常用工艺介绍 PMOS制作过程 化学机械抛光 如果不进行抛光，会累积高度差，造成连线断裂 化学机械抛光 Chemical Mechanical Polishing 曼哈顿布线规则 为什么叫曼哈顿布线 MOS工艺的自对准结构 自对准是一种在圆晶片上用单个掩模形成不同区域的多层结构的技术，它消除了用多片掩模所引起的对准误差。在电路尺寸缩小时，这种有力的方法用得越来越多。 有许多应用这种技术的例子，例子之一是在多晶硅栅MOS工艺中，利用多晶硅栅极对栅氧化层的掩蔽作用，可以实现自对准的源极和漏极的离子注入，如图所示。 自对准工艺 示意图 自对准工艺 上图中可见形成了图形的多晶硅条用作离子注入工序中的掩模，用自己的“身体”挡住离子向栅极下结构（氧化层和半导体）的注入，同时使离子对半导体的注入正好发生在它的两侧，从而实现了自对准。 多晶硅本身在大量注入电阻率变低。 可见多晶硅的应用实现“一箭三雕”之功效。 设计规则 设计工程师和工艺工程师之间的接口 指导构造工艺掩模板 单位尺寸：最小线宽 ?? 可按比例变化的规则：lambda参数 ?? 绝对尺寸：微米规则 最小宽度(minWidth) 最小间距(minSep) 最小交叠(minOverlap) CMOS工艺层及表示方法 同层内规则 层间-晶体管规则 层间-接触与通孔的设计规则 晶体管规则 版图工具 设计规则检查（DRC