山东农业大学《集成电路设计基础》13.pptVIP

上节回顾 静态特性 动态特性 VDD 负载电容 W/L 本征延时与负载延时 反相器链 级数和最佳延时 每级尺寸按f比例变化，具有系统的等效扇出f： 最佳有效扇出f 不同级数反相器的对比 引入缓冲级的影响 传播延时与输入斜率的关系 反相器中的功耗 动态功耗 短路电流 充放电电容 静态功耗-漏电 二极管与晶体管漏电 一级近似RC 网络 动态功耗-充放电电容 开关活动性（Switching activity） 节点转换活动和功耗 考虑开关活动率 动态功耗-短路电流 输出翻转时间与负载的关系 短路电流与负载电容的关系 静态功耗 漏电电流 二极管漏电流 亚阈值漏电分量 低功耗原则 主要选择： 降低电源电压！ 近年来，电源电压有加速降低的趋势 降低开关活动率 设计的综合考虑 CMOS 反相器的总功耗 最优电压 门延时随工艺进步的缩小 电子与通信工程系 当MOS宽度放大S倍 Req=Rref/S 令 每级等效扇出为 最小路径延时： 对N取微分，令其等于0 能量/每次翻转 等效电容 频率 翻转概率 （1）取决于器件的饱和电流，因此与器件的尺寸有关。 （2）降低电源电压可减小短路电路 （3）与输入输出的斜率之比有关： 功耗延时积（PDP），或每操作的能量损耗： 衡量切换一个门所需要的能量 能量延时积（EDP）：同时考虑性能和能量的衡量 电子与通信工程系 * *