山东农业大学《集成电路设计基础》11.pptVIP

nMOS的导电原理（以NMOS为例） MOS的导电原理（以NMOS为例） MOS的导电原理（以NMOS为例） CMOS反相器负载线 NMOS和PMOS的负载曲线 CMOS反相器VTC 门开关阈值与PMOS对NMOS尺寸比的关系 影响传输特性的因素-宽长比 P 管和N 管的宽长比（W/L) 的比值不同时， VM 的值不同。但VM 值对于器件尺寸较不敏感 增加P 管的宽度使VM 移向VDD, 增加N 管的宽度 使VM移向GND,这在某些设计中非常有用。 晶体管宽度对VTC的影响 改变阈值提高电路可靠性 确定VIH和VIL的近似计算 反相器增益 影响传输特性的因素-电源电压 降低电源电压，使VTC 特性改善 过低的电源电压（0.1V时）使VTC 明显变差 影响传输特性的因素-工艺偏差 CMOS反相器：瞬态分析 影响串联反相器的电容 密勒效应 本征负载与外部负载 晶体管等效电阻（p76） 晶体管等效电阻 1、电阻反比于W/L 2、VDDVT+VDSAT/2时， 电阻趋向与VDD无关的常数 3、VDD接近VT时，电阻急剧增加 用做开关的晶体管电阻 瞬态响应 延时与VDD的函数 减小门传播延时的方法 减小CL 内部扩散电容 互联线电容 扇出电容 增加晶体管的W/L比 自载效应 提高VDD PMOS和NMOS宽度比值对延时的影响 本征延时与负载延时(p150) 本征延时与负载延时 提高放大