山东农业大学《集成电路设计基础》9逻辑门性能表征.pptVIP

MOS电容 特征尺寸缩小 互连 线间电容 典型0.25工艺导线平板电容与边缘电容 典型0.25工艺同层导线单位长度电容 2 互联电阻 方块电阻 减小线电阻 平均线长的减小 好的互连材料 铜和硅化物等 更多的互连层 趋肤效应 不同宽度的导体趋肤效应 导线模型 理想导线 集总模型（Lumped Model）-只考虑电容 集总RC模型 RC 延时及其模型 例 4.5 集总RC模型 RC-tree： 电路只有一个输入节点 所有电容都在某个节点和地之间 该电路不包括任何电阻回路 Elmore 模型-重点掌握 RC 链的Elmore 延时 导线延时估测 将总长L的导线被分割成N段 每段长度为L/N，电阻为rL/N,电容为cL/N 结论 导线的延时是长度的二次函数 过长的导线通过反相器链进行一层一层的中继 片上导线-实际比例 第五章 反相器 逻辑门的质量评价 （p13-22） 电路行为特性与预期有区别的原因 制造工艺偏差 干扰噪声源 （1）电压传输特性（VTC） 逻辑门的功能会因制造过程的差异而偏离设计的期望值。 模拟信号和数字信号之间的对应 （2）噪声容限 噪声容限：芯片内外的噪声会使电路的响应偏离设计的期望值 （电感、电容耦合，电源与地线的噪声）。 （3） “再生”特性 逻辑门的“再生”特性使被干扰的信号能恢复到名义的逻辑电平。 逻辑门具有“再生”特性的条件是合法区的增益小于1，过渡区的