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课程小论文 ——BJT和FET的区别与联系 西华大学《模拟电子技术》示范课 李逐云 施显燕 汤杨 [36] [32] [30] 一二年十一月制 概述 BJT和FET都是很重要的三端放大器件，这两种管子具有相似的功能。由于制造工艺有区别故两者工作原理和伏安特性不同，但它们组成的放大电路的分析方法类似。学习时应分别掌握两者的工作原理等。分析放大电路时重点学习BJT的分析方法，FET可类比。 工作原理 一、BJT的工作原理（以NPN型放大状态为例） 1 BJT内部载流子的传输过程 当BJT用作放大器件时，应将发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。 （1）发射区向基区扩散载流子（电子），形成发射极电 流 IE （2）载流子在基区扩散与复合，形成复合电流IBN （3）集电极收集载流子，形成集电极电流IC 2 BJT的电流分配关系 IC=βIB IE=IB+IC=(1+β)IB 工作原理 二、FET的工作原理 以N沟道增强型MOSFET为例 在vGS小于VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。在vGS大于或等于vT时能形成沟道，再在漏极和源极加上正向电压vDS即可形成漏极电流。在vDS较小时,iD随vDS上升迅速增大。由于有电位梯度使得沟道呈楔形，当vDS增大到（vDS=vGS-vT）时，沟道夹断，但由于存在少子漂移可使iD不为0。当vDS继续增大，电压主要分在夹断区，故使iD趋于饱和。 BJT和FET的三种连接组态 共基极CB 共射极 CE 共集极 CC FET的栅极对应BJT的基极、漏极对应集电极、源极对应发射极, 故FET具有共栅极CG，共漏极CD，共源极CS三种组态。 BJT的伏安特性曲线 BJT主要用输入特性和输出特性描述。 FET的伏安特性曲线 FET主要用输出特性和转移特性描述 小信号等效模型 BJT: FET: 主要参数 BJT FET 1 电流放大系数 1直流参数 β α（分直流和交流） VT VP IDSS RGS 2 极间反向电流 2 交流参数 ICBO ICEO rds gm 3 极限参数 3 极限参数 ICM PCM V(BR)EBO IDM PDM V(BR)DS V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)GS 放大电路的分析 BJT和FET都为具有放大能力的三端器件，两者放大电路的分析有很大的相似性，主要步骤均如下： 1 静态分析 画出直流通路，求出Q值。（BJT：IBQ、ICQ、VCEQ;FET：VGSQ、IDQ、VDSQ） 2 动态分析 估算rbe或gm，画出小信号等效电路，求出增益、输出电阻、输入电阻等） 三种基本放大电路性能比较 谢谢 * * FET 5 b e c i b r be i b i c i e b BJT FET 电压增益 CE -βRL/[rbe+(1+β)Re] CS -gmRd CC (1+β)RL/[rbe+(1+β)RL] CD gmR/1+gmR CB βRL/rbe CG gmRd 输入电阻 CE Rb1//Rb2//[rbe+(1+β)Re] CS 很高 CC Rb//[rbe+(1+β)RL] CD 很高 CB Re//rbe/(1+β) CG 1/gm 输出电阻 CE Rc CS Rd CC (rbe+Rs/1+β)//Re CD 1/gm//R CB Rc CG Rd 大家好，这次课我们将进入第7章 反馈放大电路的学习。