第5章 存储器与存储器系统.ppt

第5章 存储器与存储器系统 本章重点： 掌握存储器的分类、性能指标，存储器系统的多层结构； 掌握存储器芯片RAM、EPROM的基本结构、地址形成方法； 重点掌握8086CPU与存储器的连接技术； 掌握EPROM编程技术； 了解DRAM刷新，内存条选择与安装。 难点： 存储芯片的容量扩展。 CPU与存储器的连接。 主要章节 存储器分类 存储器组织 存储器容量扩展 CPU与存储器的连接 内存条的选择与安装 §1 存储器分类 本节主要内容 概述 存储器的性能指标 半导体存储器 概述 按存储介质分：半导体存储器、磁表面存储器、光表面存储器； 按读写功能分：ROM和RAM； 按信息的可保存性分类： 非永久性记忆存储器（断电后信息消失）：RAM 永久性记忆存储器（断电后信息仍保存）：ROM、磁表面或光表面存储器； 按在计算机系统中的作用分类：主存储器（内存）、辅助存储器（外存）、高速缓冲存储器（Cache）。 存储器的性能指标 存储容量 存储器芯片的存储容量用“存储单元个数×每存储单元的位数”来表示。 各半导体器件生产厂家为用户提供了许多种不同容量的存储器芯片，用户在构成计算机内存系统时，可以根据要求加以选用。当然，当计算机的内存确定后，选用容量大的芯片则可以少用几片，这样不仅使电路连接简单，而且功耗也可以降低。 功耗 使用功耗低的存储器芯片构成存储系统，不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以提高存储系统的可靠性。 存取时间和存取周期 存取时间又称存储器访问时间，即启动一次存储器操作（读或写）到完成该操作所需要的时间。CPU在读写存储器时，其读写时间必须大于存储器芯片的额定存取时间。如果不能满足这一点，微型机则无法正常工作。 存取周期是连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间。若令存取时间为tA，存取周期为TC，则二者的关系为TC≥tA。 可靠性 计算机要正确地运行，必然要求存储器系统具有很高的可靠性。内存发生的任何错误会使计算机不能正常工作。而存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间（MTBF）约为5×l06～l×108小时左右。 存储器系统的多层结构 对存储器系统的要求：容量大、速度快、成本低； 存储器系统多层结构：高速缓冲存储器（cache）、主存储器、外存储器； 半导体存储器 半导体存储器可分为RAM和ROM。 RAM：随机读写存储器，非永久性记忆存储器，用来存放需改变的程序、数据、中间结果及作为堆栈等； ROM：只读存储器，属永久性记忆存储器，用来存放固化系统的设备驱动程序、不变的常数和表格等。 随机存储器RAM 按制造工艺可分为双极型和MOS型。 读写存储器按其制造工艺可以分为双极型半导体RAM和金属氧化物半导体（MOS）RAM。 (1) 双极型RAM 双极型RAM的主要优点是存取时间短，通常为几纳秒到几十纳秒(ns)。与下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且价格也较高。因此，双极型RAM主要用于要求存取时间非常短的特殊应用场合,如用来制造cache。 (2) MOS型RAM 用MOS器件构成的RAM又可分为静态读写存储器(SRAM)和动态读写存储器（DRAM）。 SRAM的存储元由双稳态触发器构成。双稳态触发器有两个稳定状态，可用来存储一位二进制信息。只要不掉电，其存储的信息可以始终稳定地存在，故称其为“静态”RAM。SRAM的主要特点是存取时间短（几十到几百纳秒），外部电路简单，便于使用。常见的SRAM芯片容量为1KB~64KB之间。SRAM的功耗比双极型RAM低，价格也比较便宜。 DRAM的存储元以电容来存储信息，电路简单。但电容总有漏电存在，时间长了存放的信息就会丢失或出现错误。因此需要对这些电容定时充电，这个过程称为“刷新”，即定时地将存储单元中的内容读出再写入。由于需要刷新，所以这种RAM称为“动态”RAM。DRAM的存取速度与SRAM的存取速度差不多。其最大的特点是集成度非常高，目前DRAM芯片的容量已达几百兆比特。其它的优点还有功耗低，价格比较便宜。 由于用MOS工艺制造的RAM集成度高，存取速度能满足各种类型微型机的要求，而且其价格也比较便宜，因此，现在微型计算机中的内存主要由MOS型DRAM组成。 只读存储器ROM 分为掩膜ROM、PROM、EPROM、E2PROM。 掩膜ROM：厂家采用光刻掩膜技术，将程序制入其中，用户使用时，只能进行读操作，不能再改写存储器中的信息； PROM：用户买来可按照自己的需要，进行一次且只能进行一次编程（写操作），一经编程就只能执行读出操作