光刻胶污染掩膜板.PPT

Your company slogan 光刻工艺流程 宋世巍 2011.09.06 目的与原理 目的：主要是将掩膜板上的图形复制到基片上，为下一步进行刻蚀或者电极蒸镀等工序做好准备。 原理：光刻是一种复印图像与化学腐蚀相结合的综合行技术，它采用照相复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确的复制在有涂有光刻胶的SiO2层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光刻胶发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂或碱溶液中，未受光照射的部分光刻胶不发生变化，很容易被某些有机溶剂溶解。然后利用光刻胶的饱和作用，对SiO2层或金属蒸发层进行选择性化学腐蚀，从而在SiO2层或金属层上得到与光刻掩模板相对应的图形。 光刻胶 光刻胶的成分： 聚合物 溶剂 感光剂 添加剂 聚合物 聚合物是由一组大而且重的分子组成，包括碳、氢和痒。对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。在大多数负性胶里面，聚合物是聚异戊二烯类型。是一种相互粘结的物质－－抗刻蚀的物质，如图所示。受光照部分产生交链反应而成为不溶物 正性胶的基本聚合物是苯酚－甲醛聚合物，也称为苯酚－甲醛树脂。如图所示。 在光刻胶中聚合物是相对不可溶的，用适当能量的光照后变成可溶状态。这种反应称为光溶解反应。受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解 溶剂 光刻胶中容量最大的成分是溶剂。添加溶剂的目的是光刻胶处于液态，以便是光刻胶能够通过旋转的方法涂在晶园表面。 感光剂 光刻胶中的感光剂是用来产生或者控制聚合物的特定反应。如果聚合物中不添加感光剂，那么它对光的敏感性差，而且光谱范围较宽，添加特定的感光剂后，可以增加感光灵敏度，而且限制反应光的光谱范围，或者把反应光限制在某一波长的光。 添加剂 光刻胶中的添加剂主要在光刻胶薄膜中用来吸收和控制光线，可以阻止光刻胶没有被曝光的部分在显影过程中被溶解。 光刻掩膜板的基材一般为熔融石英，这种材料对深紫外光具有很高的光学透射。掩膜板的掩膜层一般为铬 （Cr） 如果掩膜版的图形是由不透光的区域决定的，称其为亮场掩膜版；而在一个暗场掩膜版中，掩膜版上的图形是用相反的方式编码的，如果按照同样的步骤，就会在基片表面留下凸起的图形。 光刻掩膜板 光刻的设备及工具 曝光机 甩胶机 烘箱 铝盒 烧杯及镊子 光刻步骤及操作原理 涂胶 前烘 曝光 显影 后烘 腐蚀 去胶 涂胶 目的是在基片表面建立薄而均匀并且没有缺陷的光刻胶膜。要做到这一点必须用精良的设备和严格的工艺控制才能达到。 厚度：0.5～1.5μm，均匀性：±0.01μm 常用方法：旋转涂胶法 静态涂胶工艺 首先把光刻胶通过管道堆积在基片的中心，堆积量由基片大小和光刻胶的类型决定，堆积量非常关键，量少了会导致涂胶不均匀，量大了会导致基片边缘光刻胶的堆积甚至流到背面，如图所示 动态喷洒 随着基片直径越来越大，静态涂胶已不能满足要求，动态喷洒是基片以500rpm的速度低速旋转，其目的是帮助光刻胶最初的扩散，用这种方法可以用较少量的光刻胶而达到更均匀的光刻胶膜。待扩散后旋转器加速完成最终要求薄而均匀的光刻胶膜。 涂胶 光刻匀胶机的型号为KW-4A型台式匀胶机，光刻胶型号为BP212正胶。 将基片真空固定在旋转台上，用胶头滴管滴1-2滴正性光刻胶在晶片上，旋转进行甩胶，甩胶时先用900（转/秒）的转速甩胶9秒，再用3000（转/秒）的转速甩胶30秒以完成匀胶过程 光刻胶覆盖 光刻 胶浇注 不充分 覆盖 完整光刻胶 覆盖 过多 光刻胶 旋转后 前烘 前烘所用的仪器型号为ST-DHG-9023A电热鼓风干燥箱 。 将匀胶好的片放在铝盒中，然后翻入烘箱中进行烘烤。烘烤时间为15分钟，温度为80摄氏度 目的是促使胶膜内溶剂充分的挥发掉，使胶膜干燥，增加胶膜与SiO2或金属膜之间的粘附性和提高胶膜的耐磨性，不沾污掩模板，只有干燥的光刻胶才能充分的进行光化学反应 负胶必须在氮气中进行烘焙，而正胶可以在空气中烘焙。 曝光 曝光系统 最初曝光设备是接触式光刻机和接近式光刻机，而今，光刻机已发展成两大类型，即光学光刻机和非光学光刻机，如图所示。光学光刻机采用紫外线作为光源，而非光学光刻机的光源则来自电磁光谱的其他成分 曝光方法 接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；分辨率〉0.5μm。 接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为1