MoS2的性能、制备及应用介绍.pptxVIP

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MoS2的性能、制备及应用介绍.pptx

MoS2纳米材料的性质研究、应用及制备;MoS2的结构及理化性能 MoS2的应用 MoS2纳米材料的制备 ;MoS2的理化性能; 分子式MoS2,分子量为160.07, 为蓝灰色至黑色固体粉末;有金属光泽,触之有滑腻感。 熔点1185℃ 密度4.80g/cm3(14 ℃) 莫式硬度1.0~1.5 1370 ℃开始分解,1600 ℃分解为金属钼和硫 315 ℃在空气中加热时开始氧化,温度升高,氧化反应加快。 MoS2不溶于水,只溶于王水与煮沸的浓硫酸。;MoS2的结构;;MoS2附着性能;MoS2具有低的摩擦系数, 一般为0.03-0.15,比石墨的摩擦系数还小,在良好的条件下,摩擦系数可达到0.017。; 二硫化钼在常态下为不良导体和非磁性材料。;MoS2的应用;MoS2可以被合成多种形式的无机结构如:纳米粒子,单壁纳米管和多壁纳米管 MoS2形成的富勒烯纳米粒子和纳米管因独特的微观结构,决定了其有许多新奇的性能。;1.柔性器件 像石墨烯一样单层MoS2可以做柔性器件。例如柔性液晶面板。 2.优异的摩擦性能 IF-MoS2(IF表示含无机类富勒烯)可以在高真空下继续保持其优异的摩擦性质。主要应用于不易维护的设备,如:空间飞行器,卫星及军事领域。 ;3.润滑性 由于MoS2和金属之间的附着力很强,可以进一步通过纳米颗粒的剥片,单分子纳米层被转移到金属表面上,缓和摩擦和磨损。 4.防腐 MoS2不溶于水,只溶于王水和煮沸的的浓硫酸,因此镀上一层辉钼的不锈钢能很好的防腐。;5.场效应晶体管 单层MoS2的电子迁移率在室温下可以达到200Vm/s,有一个很高的开关比:1×108。体积比Si小,使得获得同样效果的电子运动时, MoS2可以比Si更轻薄。在稳定状态下耗能比传统Si晶体管小十万倍。由于MoS2有一个直接带隙(带隙是指导带的最低点和价带的最高点的能量之差。带隙越大,电子由价带被激发到导带越难,本征载流子浓度就越低,电导率也就越低),不像石墨烯没有直接的带隙。所以MoS2是下一代场效应晶体管的热门候选者。;6.做太阳能电池,锂电池等的电极材料。 7.催化剂 MoS2可以做给原油脱硫的工业催化剂,光催化剂等,还可预防硫中毒。 8.储氢媒介 水分子可以在单层MoS2空位处分解成O与2H原子,这些原子束缚在悬空键上,在1H-MoS2的表面释放出氢???。;9.发光二级管 10.吸附剂 IF-MoS2比表面积较大,吸附能力很强,可以吸附一些有毒气体,芳香剂等。 11.制备二硫化钼层间化合物 由于MoS2是层间化合物而且其层间是微弱的范德华力,很容易插入有机基团或其他化合物可形成二维纳米复合物。这些复合物可以表现出许多奇特的性质。;MoS2纳米材料的制备;1.高温硫化法: ①高温硫化法主要是指在高温条件下对钼单质或钼的氧化物进行硫化来制备纳米 MoS2的方法,硫源包括单质硫和硫化氢气体. 其中,对钼的氧化物进行硫化是最常见的,其主要反应机理如式( 1) 、( 2) : MoO3+ 2H2S + H2= MoS2+ 3H2O (1) MoO3+ 3H2S = MoS2+ 3H2O + 1 /8 S8 (2) ②在足够高的温度条件下,单质硫蒸气也可将钼的氧化物还原硫化为 MoS2: 2MoO3+ 7 /8S8=2MoS2+ 3SO2 (3) 高温硫化法的研究相对成熟,其优点在于能制备出结晶状态好,晶格畸变小,并且可以在不同的工艺参数条件下制得不同形貌和结构的纳米 MoS2材料。高温硫化法还适合于制备各种不同种类的载体催化剂,但是由于此方法属于气固反应,MoO3很难进行有效的分散,因此不适合制备对分散性要求较高的 MoS2催化剂。 另外,高温硫化法对设备、环境和制备条件要求较高. ; 2.水热法 (1)用摩尔比是1:3的钼酸钠(Na2MoO4·2H2O)和硫代乙酰胺(CH3CSNH2 )作原料再添加适当的催化剂。 CH3CSNH2 +2H2O → H2S + CH3COOH + NH3 4Na2MoO4 +9H2S → 4MoS2 +Na2SO4 +6NaOH + 6H2O (2)用NaS2和MoO3作原料在聚四氟乙烯做衬里的高压釜中反应。 (3)将钼酸铵(NH4)6Mo7O24·4H2O,硫脲(CS(NH2)2)别名硫代尿素,草酸(H2C2O4·2H2O)混合反应,其中 Mo/S/H2C2O4的摩尔比为1:2:1. 水热法制备纳米 MoS2,方法简单易于实现,但是此方法制备的产物在较低温度下多为无定型状态并且团聚严重,要经过高温退火来提高结晶度。 ;3.溶液法 溶液法是指在常压开放环境条件

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