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集成电路制造技术_氧化-微电子学院微电子试验教学中心
第二章 氧 化 主 讲:毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.1 杂质的分凝与再分布 分凝系数 m=杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度 对同一杂质、同一温度条件,在平衡状态下,m是一 个常数。由m可判断在界面处杂质分布的情况。 P、As、Sb: 10; Ga:20 ; B:0.1-1; 四种分凝现象:根据m1、m1和快、慢扩散 ① m1、 SiO2中慢扩散:B ② m1、 SiO2中快扩散:H2气氛中的B ③ m1、 SiO2中慢扩散:P ④ m1、 SiO2中快扩散:Ga 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.2 再分布对Si表面杂质浓度的影响 影响Si表面杂质浓度的因素: ①分凝系数m ②DSiO2/DSi ③氧化速率/杂质扩散速率 1. P的再分布(m=10) CS/CB:水汽干氧 原因:氧化速率越快,加入 分凝的杂质越多; CS/CB随温度升高而下降。 2.5 热氧化的杂质再分布 2. B的再分布(m=0.3) CS/CB:水汽干氧 CS/CB随温度升高而升高。 原因:扩散速度随温度升高 而提高,加快了Si表面杂质 损耗的补偿。 改正:图2.23中纵坐标 CB/ CS应为 CS/CB 2.6 薄氧化层 D-G模型对厚度小于30nm的干氧氧化不准确; ULSI工艺中,栅氧化层通常都小于30nm。 2.6.1 快速初始氧化阶段 干氧氧化:有一个快速 的初始氧化阶段,即 z*=(23±3)nm τ=(A/B)z* ((z*)2趋于0) 氧化机理:目前尚不完全清楚。 湿氧和水汽氧化:τ=0 2.6 薄氧化层 2.6.2 薄氧化层的制备 ULSI对薄氧化层的要求: ①低缺陷密度;②好的抗杂质扩散的势垒特性;③低界面态密度和固定电荷;④热载流子和辐射稳定性; ⑤低成本。 解决方法: 1.预氧化清洗:RCA工艺 ①H2O-H2O2-NH4OH:去除有机沾污及Ⅰ、Ⅱ族金属沾污 ②HF:漂洗① 中产生的SiO2 ③H2O-H2O2-HCl:去除重金属杂质 2.6 薄氧化层 2.改进氧化工艺:高温(900℃)快速氧化 界面态、固定电荷、氧化层陷阱随温度升高而减少; 提高了载流子迁移率、抗辐射、抗热载流子效应的能力,改进了可靠性。 3.化学改善氧化层工艺:引入Cl、F、N2、NH3、N2O ① N2、NH3、N2O的作用: N2(NH3、N2O)+ SiO2 → Si2N2O ∵Si-N键比Si-H键强度大 ∴可抑制热载流子和电离辐射缺陷; N2O基工艺的优点:工艺简单;无H。 ②F的作用:填补Si-SiO2界面的悬挂键,抑制热载流子 和电离辐射产生的缺陷;可使界面应力弛豫。 2.6 薄氧化层 4. CVD和叠层氧化硅: SiO2/SiO2, SiO2/Si3N4, SiO2/HfO2 ,SiO2/Si3N4/SiO2; ①采用CVD法淀积SiO2、Si3N4、HfO2 优点:不受Si衬底缺陷影响;低温; ②叠层氧化硅 优点:缺陷密度明显减少、 Si-SiO2界面的应力接近 零 原因:各层缺陷不重合、各层之间的应力 相互补偿; 增加了薄膜的ε,提高了抗B透入能力。 2.7 Si-SiO2界面特性 SiO2内和Si-SiO2界面处,存在四种界面电荷: ①可动离子电荷:Qm(C/cm2),正电荷,如Na+、K+; ②氧化层固定电荷:Qf(C/cm2),正电荷,如Si+、荷正 电的氧空位; ③界面陷阱电荷:Qit(C/cm2),正或负电荷,如Si的悬 挂键; ④氧化层陷阱电荷:Qot(C/cm2),正或负电荷。 界面电荷的危害:在Si表面感应出极性相反的电荷, 影响MOS器件的理想特性,造成成 品率和可靠性的下降。 2.7 Si-SiO2界面特性 2.7.1 可动离子电荷Qm 主要来源:大量存在于环境中的Na+ 。 Na+的分布:遍布整个SiO2层。 Na+的特性: ①其DSiO2很大(D0=5.0cm2/s,而P的D0=1.0×10-8cm
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