多闸极复晶矽薄膜电晶体闸极长度 对电场之影响.PDFVIP

                報告題名：   多閘極複晶矽薄膜電晶體閘極長度 對電場之影響 The Effect of Electric field on the Gate Length of Multigate Polysilicon TFT 作者：張嘉峻 系級：電子四乙 學號：D9530260 開課老師：簡鳳佐 老師 課程名稱：專題研究 (一) 開課系所：電子工程學系 開課學年： 98 學年度第 一學期   多閘極複晶矽薄膜電晶體閘極長度對電場之影響 摘 要 複晶矽薄膜電晶體其具有較高的載子遷移率與驅動電流，且有 將驅動電路整合於基板上的能力，開創高亮度、減少面板製造上的成 本和增加可靠度等優點，所以在許多方面像主動式液晶顯示器、太陽 能電池、記憶元件等發展已經受到矚目。 然而我們可以在許多文獻中發現，複晶矽薄膜電晶體不斷的改 良出新穎式的結構，好因應高接面電場所帶來許多的不理想效應，而 多閘極薄膜電晶體此結構就是其中之一，但在過去的文獻裡，我們只 能知道它可以有效的降低電場，卻不曉得此結構操作的原理以及其設 計的依據。 在本實驗中，我們利用 ISE TCAD 此套軟體進行了對 Multigate TFT 二維的模擬，並且研究了許多不同閘極長度的電場值，最後成功 的解釋了它的物理特性以及整理出一套的設計依 據，如此一來，就能 明確地控制此結構並抑止高接面電場及 其所帶來的不理想效應，也將 不會浪費多餘的製程成本。 關鍵字： 薄膜電晶體、多閘極、閘極長度對電場影響   i 逢甲大學學生報告 ePaper (2009 年)  多閘極複晶矽薄膜電晶體閘極長度對電場之影響 目 錄 摘 要 i 目 錄 ii 圖 目 錄 iii 表目 錄 iv 第一章 前言 1 1-1 薄膜電晶體簡介與應用1 1-2 、TFT的不理想效應 8 1-2.1 漏電流效應 (Leakage Current Effect) 10 1-2.2 熱載子效應(Hot Carrier Effect) 12 1-2.3 扭結效應 (kink effect) 14 1-3 薄膜電晶體之基本結構16 第二章 多閘極薄膜電晶體之分析模擬19 2-1動機 19 2-2實驗方法與設計 19 2-3 Multigate結構之製程步驟 21 第三章 Multigate 之模擬數據與討論結果 24 3-1前言 24   ii 逢甲大學學生報告 ePaper (2009 年)  多閘極複晶矽薄膜電晶體閘極長度對電場之影響 3-2 Multigate 之電