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耗尽层电容 求杂质分布和变容二极管
2.7 耗尽层电容
求杂质分布和变容二极管
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
势垒电容CT
PN 结电容
扩散电容C
D
本节主要内容：势垒电容形成的机理；导出突变
结和线性缓变结的势垒电容的计算方法；如何利用PN
结的电容求杂质分布。
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
一、耗尽近似下的势垒电容
当外加电压有△V 的变化时，势垒区宽度发生变
化，使势垒区中的空间电荷也发生相应的△Q 的变
化，如下图：
−ΔQ −Q Q ΔQ
P区 N区
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
PN 结势垒微分电容CT 的定义为：
ΔQ dQ
C lim
T
Δ →V 0 ΔV dV
简称为过渡电容、耗尽层电容或势垒电容。
势垒电容：PN结空间电荷区空间电荷随外加偏压变
化所引起的电容。
半导体器件物理 © Dr. B. Li J. Han
1、突变结势垒电容
1 1
Q A x qN ( ) ( )
A k qN2 ε 2 ψ +VR 2
n d 0 0 0
1
⎡ k 2N ⎤2
ε
x 0 a ( + )
⎢ ψ V ⎥
n ( + ) 0 R
qN d N a ⎣N d ⎦
1
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