电磁场有限元分析讲义.pptVIP

数值积分—— 三角元的高斯数值积分 单元比较小的时候，单元内的函数可以近似认为是常数，通常可以获得满意的精度。当单元内函数变化比较快，或者采用曲边三角形单元、高次单元时时，都会用到数值积分。 高斯-勒让德数值积分公式： —— L1、L2、L3 是位置的面积坐标。 —— 权值 wi 如下页表格。 三角形单元高斯勒让德数值积分点和权值。 三角形单元高斯勒让德数值积分点和权值。 二维边值问题的通用形式 在媒质交界面G12 上， 单元矩阵元素计算公式： 单元右端项计算公式： 二维边值问题一般形式 在媒质交界面G12 上的条件自动满足； 第一类边界条件需要强加； 第三类边界条件的计算参看金建铭《电磁场有限元方法》。 第三类边界条件中，如果g = 0则成为第二类边界条件；如果再有 q = 0 则自动满足，无需任何处理。 二维静电场： 无限远边界条件 静电场分析 电力线平行与垂直边界条件 注意与下式的区别： 轴对称静电场： 无限远边界条件 静电场分析 如果不将 r 看作系数，有 系数阵将不再对称。 二维静磁场： 无限远边界条件 静磁场分析 磁力线垂直与平行边界条件 轴对称静磁场： 静磁场分析 在平行平面场中，等 A 线平行于磁力线； 在轴对称静磁场中，等 rA 线平行于磁力线。 注意：与轴对称静电 场的表达式非常不同 如果直接以 A 为求解量， 系数阵将不再对称。 故： 轴对称静磁场问题无限远边界条件： 小电流环产生的磁位：( ) 一阶渐近边界条件，适合于电流回路，球心位于回路中心的球面。 其中， 二维静磁场分析（包括轴对称静磁场分析）一般不使用磁标位，因为正如所看到的，磁矢位 A 只有一个分量，而且激励电流和边界条件都很容易处理。 使用磁标位时必须单独处理电流，有时候还需要规定磁障碍面，对有限元来说很不方便。 但是三维的情况将非常不同，此为后话。 二维涡流问题： 涡流场分析 相量的含义； 参数是位置的函数； 直流与交流的区别； 透入深度与单元尺寸； 电场与涡流的计算； 电压激励线圈的处理； 载流块导体的处理； 写成一般形式，若一个三角形三个顶点编号为i, j, m（逆时针顺序），则 从而 再看边界部分： （1）在节点 i 的对边Gjm上，Ni＝0，故积分贡献为0； 结论：单元边界对积分的贡献为0。所以单元e对系数阵元素的贡献为： （2）在节点 i 的邻边Gij上，由于计算Kij时需要把具有公共邻边的单元的积分累加，此二单元的Ni是连续的；对于单一均匀媒质，要求相邻单元满足 ，故积分的贡献相互抵消。 由于单元很小，做单元分析时通常可以取 f (e) 为常数值（可以认为等于三个顶点上的平均值）。因此 右端项元素： 公式： 上述以节点为序的分析过程对于有限元原理的说明是易于理解的。而在实际编程中，更有效率的是以单元为序，逐个计算单元系数阵[K(e)]，然后合成整体系数阵[K]。单元系数阵[K(e)]定义为 设 i, j, m 是节点的整体编号，元素Kij在整体矩阵中的实际位置是第i行、j列；因此 必须合成到整体矩阵的第i行、j列元素上。 单元矩阵： 整体矩阵合成： 通过上述过程，对于一个“正常”的内部节点就建立起了一个代数方程。“非正常”的节点包括：媒质交界面衔接条件和场域边界条件。 对于静电场问题，媒质分界面衔接条件为 媒质交界面衔接条件 第一个条件是自动满足的（Why？），无须格外处理。 对于第二个条件，前面计算单元边界上积分 时，默认两边 u 的法向导数相等，使内边界上的积分结果抵消。因此只要把泊松方程写成 或 满足的条件将是 , 从而也无需另行处理。 由于有限元方法能够自动满足媒质交界面条件，因此有限元法特别适合于处理多层复杂媒质问题。这是其它方法无可比拟的。 媒质交界面衔接条件 第一类边界条件（强加边界条件） 第一类边界节点是指边界上函数值 已知。因此处理方法是，合成整体系数阵之后，将该节点所在行的主元素置1，其它元素均置零，同时将右端项中对应元素设为已知函数值。 要保持对称性；有更简便的做法 第二类边界条件（自然边界条件） 第二类边界节点是指边界上函数法向导数 已知。对于内部单元，相邻单元边界的积分 相互抵消。但是对于场域边界，如果给定第二类边界条件不为0，则积分结果要计入右端项中。但是若给定的是齐次第二类边界条件，则积分结果为0，无需另行处理，非常