第三章2_半导体中载流子的统计分布.ppt

强电离与弱电离的区分： 由 4. 过渡区 过渡区----半导体处于饱和区和完全本征激发之间，本征激发不可忽略。 导带中的电子部分来源于两部分： 1）全部电离的杂质； 2）本征激发 电中性条件 n0=ND+p0 （3-55） n0是导带中电子浓度，p0是价带中空穴浓度，ND是已全部电离的杂质浓度。 为处理方便，利用本征激发时 n0=p0=ni及EF =Ei的关系，将式（3-19）改写如下： 根据电中性条件： ? n0=ND+p0 （3-55） 代入上面得到的由本征费米能级定义的n0，p0 得 过渡区载流子浓度的计算 n0=ND+p0 p0n0=ni2 可解得： n02 = NDn0 + ni2 ? （3-59） n02 = NDn0 + ni2 ? （3-59） p0n0=ni2 讨论过渡区载流子浓度: 1) 当ND》ni时，则4ni2/ND2《1，这时 ? 比较以上两式， n0 》p0，半导体在过渡区内更接近饱和区的一边。 电子：多数载流子 (n0) 空穴：少数载流子 (p0) 　举例: RT硅 ni=1.5×1010cm-3 　　若施主浓度ND=1016cm-3，则p0约为2.25×104cm-3，而电子浓度n0 =ND+ni2 /ND≈ ND =1016cm-3， n0比p0大十几个数量级。 　　电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。 少子数量虽很少，起极其重要的作用 (BJT)。 2) 当ND 《ni时 思考题： 半导体器件工作的高温极限温度？ 半导体器件正常工作时，要求电子和空穴浓度有很大差别。 本征温度Ti，超过这个温度器件降失去电学实用价值，如pn结将失去整流特性。 如何计算Ti: 实际应用中，对于宽带隙半导体，激发电子从价带到导带需要更高的能量，本征温度Ti也会更高，所以宽带隙半导体适合做高温器件。 Ti(Ge)=385K Ti(Si)=540K Ti(GaAs)=700K 5. 高温本征激发区 继续升高温度，本征激发占主导， 1）杂质全部电离 2）本征激发产生的本征载流子数远多于杂质电离产生的载流子数， n0》ND，p0》ND 这时电中性条件是n0= p0 ，与未掺杂的本征半导体情形一样，因此称为杂质半导体进入本征激发区。 费米能级EF接近禁带中线，而载流子浓度随温度升高而迅速增加。 受几个主要影响：禁宽、杂质浓度 等 禁带宽度越宽、杂质浓度越高，达到本征激发起主要作用的温度也越高。 　举例：室温下硅的本征载流子浓度为 1.5×1010cm-3 　　假定硅中施主浓度ND1010cm-3，室温下本 征激发为主。 　　如ND=1016cm -3，本征激发为主须T高达800K。 T 200 300 400 600 1016 2*1016 总结归纳：n型硅电子浓度与温度关系曲线　　 在低温时，电子浓度随温度的升高而增加。 温度升到100K时，杂质全部电离！？ 200 300 400 600 1016 2*1016 杂质电离区，包含： 1)低温电离区 2）中间电离区 3）强电离区 特征：本征激发忽略，只考虑杂质电离 饱和区： 杂质全部电离 本征区，本征激发不可忽略 温度高于500K，本征激发开始起主要作用。 温度在100～500K之间杂质全部电离，载流子浓度基本上就是杂质浓度。 T 200 300 400 600 1016 2*1016 书上[例题] ： 　设n型硅的施主浓度分别为1.5×1014cm-3及1012cm-3，试计算500K时电子和空穴浓度n0和p0。 解 由上面提及的联立方程解得 由右图查得500K时， 硅的本征载流子浓度 ni=3.5×1014cm-3， 将其和ND的值代入上面两根中得： 当ND=1.5×1014cm-3时， n0≈4.3×1014cm-3， p0 =2.8×1013cm-3。 杂质浓度与本征载流子浓度几乎相等，电子和空穴数目差别不显著，杂质导电特性已不明显。 当 ND=1.5×1012cm-3 n0≈ni=3.5×1014cm-3， p0=3.5×1014cm-3， 即 n0=p0。 掺杂浓度为ND =1012cm-3的n型硅，在500K时已进入本征区。 6. p型半导体的载流子浓度