第四章__光探测.pptVIP

光敏电阻元件主要是Ⅱ—Ⅵ族的化合物半导体，如CdS (硫化镉)、CdTe (碲化镉)、PbS (硫化铅)之类的烧结体，和InSb (锑化铟)、GaS等Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体，及Ge:Cu、Ge:Au等Ⅳ族半导体晶体。下图为光敏电阻的结构 和偏置电路。表4-3给出几种 光敏电阻典型特性。 2.光电导型探测器 利用光电导效应工作的光电探测器称为光电导型探测器，这类探测器在光照下会改变自身的电阻率，且光照越强器件电阻率越小，因而常称为光导管或光敏电阻。它们一般都为体结构，阻抗呈阻性，没有极性，且灵敏度较高，具有内电流增益G，响应速度则一般较慢。光敏电阻主要用于电子电路、仪器仪表、光电控制、计量分析、光电制导、激光外差探测等方面。 CdS、CdTe具有高可靠性、长寿命、低造价、可见光响应等特点，探测器，光电导增益为103-104，响应时间约50ms，在工业中应用最广。PbS是一种军用最多的优良近红外光敏电阻，其响应范围在1-3.4μm，峰值响应波长2μm，响应时间200μs，室温有较大电压输出。 表4-3 几种光敏电阻典型特性 3.光伏型探测器 利用光导型光伏效应的p-n结型光电二极管(PD)，响应速度快，其基本工作原理是：光照所产生的大量空穴被施加在p-n结上的反向偏压所加速，移动速度加快，从而产生光电流。最常用的材料是Si (波长探测范围：0.3-1.1 μm)、Ge (波长探测范围：1.0-1.7 μm)等Ⅳ族半导体。InGaAsP和InGaSbP制作的长波长光电二极管对于1.55μm波段光通信至关重要，也是目前研究的重点。 光接收面积增大，则p-n结电容增大，响应速度减慢，为此，常在p-n结中加入本征层，形成p-i-n结光电二极管。p-n结、p-i-n结光电二极管中，电子和空穴的产生仅由光能量引起，而另一种二极管——雪崩光电二极管(APD)却具有“自增益”，能进一步增大电子和空穴数，同时又不损害高速响应性能。但APD却存在需要稳定的高偏压，倍增系数受温度影响很大、使用困难等缺陷。 光电三极管(p-n-p结和n-p-n结构成)形成光敏晶体管，它相当于在普通的晶体三极管结构中，基极由光照射电极来代替而形成。当在发射极与集电极之间加上电压，基极周围产生的电子和空穴向集电极扩散的过程中，会因三极管的放大作用而放大，具有灵敏度高的优点。但由于结电容和包含内电阻的负载电阻的时间常数的影响，响应速度慢。 肖特基势垒光电二极管具有量子效率高(70%)，响应频率高 (10GHz)等特性。 以上各种光电二极管原理上都是反偏的p-n结结构。 光电池和太阳能电池为零偏的二极管机构，能直接将光能转变成电能，不再需要外加电源，在响应速度要求不高的场合，因其使用简便，常用于光电子学信息处理和光耦合器件的光接收部件上，目前使用的有 (1)Si、GaAs、AlSb等Ⅳ族及Ⅲ—Ⅴ族的单晶和非晶半导体制备的的p-n结； (2)烧结型的CdS与其它物质构成的异质结； (3)用CdTe薄膜制备的p-n结半导体等。 如果把温差热电偶的冷端分开并与一个电表相连，那么当光照熔接端时，吸收光能使热电偶接头温度升高，电表就有相应的电流读数，其数值间接反映了光照能量的大小，这就是热电偶探测器的工作原理。构成温差热电偶的材料可以是金属，也可以是半导体；可以是线、条状的实体，也可以是真空淀积或光刻所得薄膜。实际中为提高灵敏度，常将若干个热电偶串联起来使用，称为热电堆。实体型温差热电偶多用于测温，薄膜型温差热电堆多用于测量各种辐射，如标定各类光源、测量光功率、充当红外分光光度计/光谱分析仪的辐射接收元件等。热电探测器最小可探测功率的主要限制因素为温度噪声和约翰逊噪声。理想热电探测器NEP为10?11W量级，温差热电堆常温理想情况下可达10?9W量级。 热电型探测器在红外、激光功率/能量测量中应用广泛。 4.热电型探测器 利用热释电效应工作的探测器具有工作时无需冷却，也无需偏压电源，在室温与高温下均可工作，结构简单、使用方便，在远紫外到远红外很宽的波谱范围内具有几乎均匀的光谱响应，在较宽的频率和温度范围内有较高的探测度等等优点，是目前功率/能量探头的重要类型。 一、光敏电阻 光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器.一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。 本征型光敏电阻 ——一般在室温下工作适用于可见光和近红外辐射探测 非本征型光敏电阻—— 通常在低温条件下工作常用于中、远红外辐射探测 4.4.2 典型光电探测器 1. 光敏电阻的结构和偏置电路 通常，光敏电阻器都制成薄片结构，以便吸收更多的光能。当它受到光的照射时，半导体片（光敏层）内就激发出电子—空穴对，参与导电，使电路中电流增强。为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电