第六章_常见光波导材料与结构.pptVIP

集成光电子器件的材料;光电子材料包括：;表2 主要化合物半导体及其用途;（5）显示材料 发光二级管（LED）如表 3;表4 光纤发展阶段及所需材料;光纤材料:;（7）记录材料;（8）敏感材料;集成光电子材料;波导折射率与模式;波导厚度与模式;不同材料矩形单模波导的宽度;如希望对光纤耦合损耗小：不同材料的光波导结构;平面光波导的类型;脊形光波导;渐变折射率波导;集成光器件的分类;有源器件材料的应用场合;不同材料吸收系数与波长的关系;集成光电子材料;集成光电子学中的主要制备技术;;横截面;波导制作工艺;集成光电子器件制作条件; 经验告诉我们，微粒的大小要小于器件上最小特征图形尺寸的1/10。（就是说直径为0.03微米的微粒将会损坏0.3微米线宽大小的特征图形。）否则会造成器件功能的致命伤害。;1、空气净化;三道防线: 环境净化（clean room） 材料清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering）;;光电所;净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数不超过X个。;高效过滤;;;;人员产生的污染 工作区人员也是最大的污染源之一。即使一个经过风淋的洁净室操作员，当他坐着时，每分钟也可释放10万到100万个颗粒，当人员移动时，这个数字还会大幅增加。这些颗粒都是来自脱落的头发和坏死的皮肤。其他的颗粒源还有象化妆品、染发剂和暴露的衣服等。下表列出了从不同操作人员的动 作中产生的污染物的 水平。;颗粒粘附 所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。;工艺用水 在微纳米器件生产的整个过程中，要经过多次的化学刻蚀与清洗，每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲洗。由于半导体器件非常容易受到污染，所以所有工艺用水必须经过处理，达到非常严格洁净度的要求。 普通城市用的水中包含大量洁净室不能接受的污染物，主要有： 溶解的矿物 颗粒 菌 溶解氧 二氧化碳 有机物 普通水中的矿物来自盐分，盐分在水中分解为离子。例如食盐会分解为钠离子和氯离子。每个离子都是污染物。;通常采用反渗透和离子交换系统去除水中的离子。去除离子后的水通常称为去离子水。去离子水在25℃时的电阻是18 000 000Ω·cm???也就是一般称为18MΩ。图5.19显示了当水中含有大量不同的溶解物质时的电阻值。 在VLSI制造中， 工艺水的目标是 18MΩ。 水中的细菌是通 过紫外线去除。;;集成光电子器件标准工艺;1.掩膜制作（相当于产生一个胶卷底片）;1.掩膜：图形生成;1.掩膜：电子束直写;掩模版制作过程;;2.薄膜沉积：制作平面波导;1）化学气相淀积 — Chemical Vapor Deposition (CVD) 一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 例如：APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD 2）物理气相淀积 — Physical Vapor Deposition (PVD) 利用某种物理过程实现物质的转移，即将原子或分子转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜的技术。 例如：蒸发 evaporation，溅射sputtering;物理气相淀积 （PVD） 蒸发（Evaporation） 溅射（Sputtering）;真空蒸发：在真空中，把蒸发料(金属)加热，使其原子或分子获得足够的能量，克服表面的束缚而蒸发到真空中成为蒸气，蒸气分子或原子飞行途中遇到基片，就淀积在基片上，形成薄膜 ;溅射Sputtering - 溅射淀积Sputter deposition ;射频溅射 — 也可溅射介质 如靶是绝缘材料，不能采用直流溅射，因为绝缘靶上会有正电荷积累。此时可以使用交流电源。;蒸发工艺中的一些问题: 对某些元素淀积速率很慢 合金和化合物很难采用 台阶覆盖差 目前大生产很少采用;化学气相沉积Chemical Vapor Deposition (CVD);化学气相淀积（CVD）;多晶硅淀积方法 LPCVD，主要用硅烷法，即在600-650 ℃温度下，由硅烷热分解而制成，总体化学反应（overall reaction）方程是：SiH4→Si(多晶)+2H2 ;氧化硅的淀积方法;氮化硅的淀积方法;等离子增强化学气相淀积（PECVD）;等离子体： 物质存在的第四态 高密度导电粒子构成的气体 极板区域有辉光;3.光刻：将底片（掩膜）的图形转移到刚沉积的波导表面上;光刻的要求;三种硅片曝光模式及系统;光刻：正胶与负胶;步进投影式光刻机原理图;;两个爱里斑之间的分辨率(瑞利判据):;光刻步骤简述;248 nm;EUV光刻;;