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多出載子(excess carriers)的傳導行為 在半導體元件應用上，在半導體中由於外在因素常常會出現多於平衡濃度的 載體，對於這些多出載體(excess carriers)傳導行為的瞭解，對理解基本半導 體元件的原理有很大的助益。 這裡分為多出多數載體及多出少數載體兩部分來討論。我們以n型半導體為 例來做說明，p型半導體中的現象是類似的。 多出多數載體 假想在n型半導體中某位置O在時間定為0的時候，突然出現了一些多出的電 子濃度n ，如下頁圖。 這時不但電子分布不均勻，而且空間中的電中性也被破壞了，也就是說有 了電場。半導體中會同時有多出電子的擴散電流與所有電子的漂移電流。 經過很小段的時間，電子濃度差異不像剛開始這麼大時，電流主要是漂移 電流。再經過一段時間，所有多出的電荷便分布到材料的邊緣，材料中的 電場隨即消失 。這個過程和金屬中多出電子會移動到表面的現象是一樣的。 應用電子學 2-44 中興物理 孫允武 n型半導體中多出多數載體電子的行為。 電場 n n 電場 漂移電流 電場=0 擴散電流 r r tk /s t=0 0 這個現象和電容經由電阻放電的情況很類似，而時間常數t可以推導出來是 ke /s ，s是材料的導電度，ke 是介電常數。對摻雜的半導體而言，t大約是 0 0 - 12 10 s 。 應用電子學 2-45 中興物理 孫允武 假如n型半導體中某位置突然出現了一不動的帶正電粒子，在幾個時間常數t 內，帶正電粒子周圍就會圍繞和其電荷大小相同之電子分布，而半導體內部 其他部分還是維持電中性，沒有電場，但表面會有和帶正電粒子等量的電荷。 這個現象我們稱做遮蔽現象(screening effect) 。 電場 n n +Q 電場 漂移電流 電場=0 -Q + r + +Q r 漂移電流=0 t=0 tk /s 0