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ED-Ch04 1/1 Chapter 4 雙極接合電晶體 2000/10/30 4.1 電晶體構造 電晶體(Transfer Resistor, 1948)的兩大功用 (1) 開關之閉合 (2) 增幅作用﹕小信號變大信號 雙極接合﹕基極(B) ，集極(C) ，射極(E) 基極(B) －集極(C)接合，基極(B) －射極(E)接合 雙極接合(Bipolar Junction Transistor, BJT) npn 型及pnp 型的符號 4.2 電晶體的作動原理 npn 型中，B-E 為順向偏壓時導通。 射極(E) 中具有為數極多之多餘電子（多數載子），基極(B) 中具有數量不多 之多餘電洞（多數載子）。順向偏壓時，使BE 極間的空乏層變窄，而 BC 極 間的空乏層變寬，因B 極的電洞並非相當多，僅有少量因再結合(recombination) 而產生的電子流流出 B 極導線。但大部分從射極流出的電子，經寬度很窄， 且電洞載子濃度很低之基極區時，無法產生再結合，而是擴散(diffuse)至 BC 極間的空乏區。在此區之電子 ，為逆向偏壓之正極所吸引，流出集極導線 ，形 成大電流。 電晶體的電流 I E I C + I B 4.3 電晶體的特性及參數 npn 型及pnp 型電晶體的接線方式 有兩個電源 直流Beta(βDC) ，直流Alpha(αDC) 電晶體的直流電增益(gain) ，βDC ，h ，hFE I C β DC (20 to 200 or higher) I B hFE β DC αDC I C α DC 1 (0.95 to 0.99 or greater) I E βDC 與αDC 的關係 ED-Ch04 2/2 I E I C + I B I E I C I B I B + 1+ I C I C I C I C 1 1 1+ α DC β DC α DC β DC 1− α DC αDC 越接近 1 ，則βDC 越大。 電流及電壓分析 電流﹕I E ，I C ，I B 電壓﹕VBE ，VCE ，VCB 順向偏壓時﹕VBE ≅ 0.7 V （亦可能達到0.9V ，且與電流有關） 根據KVL − VBB + VR B + VBE 0 根據歐姆定理﹕ VR B I B RB 代入得， I B RB VBB − VBE 所以， VBB − VBE I B R B 電阻RC 的壓降， VR C I C RC 則集極及射極間的電壓 VCE 為， VCE VCC − I C RC 其中，I β I 。另外，集極及基極間的電壓V 為， C DC B CB