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工艺与实践
清华大学电子工程系 李冬梅,李国林 高等模拟集成电路 CMOS工艺与版图设计
CMOS工艺与版图设计
硅圆片与集成电路
集成电路制造工艺简介
CMOS工艺流程与集成电路中的元件
版图设计
2009秋 1
硅圆片
2000年 2001年
2002年
2003年
2004年
实际芯片显微照片
实际芯片显微照片
封装好的芯片
实际芯片显微照片
清华大学电子工程系 李冬梅,李国林 高等模拟集成电路 CMOS工艺与版图设计
CMOS工艺与版图设计
硅圆片与集成电路
集成电路制造工艺简介
CMOS工艺流程与集成电路中的元件
版图设计
2009秋 5
清华大学电子工程系 李冬梅,李国林 高等模拟集成电路
集成电路制造工艺简介
必要性
生产工艺对IC的性能及成本的影响决定了:
设计者对其电路设计问题的解决方案;
用户对其专用集成电路生产工艺的选择。
如何合理地将系统中的电路集成,需要设计者对工
艺的有效自由度和那些易于集成的器件的特性有很
好的理解。
优良版图设计的必要基础。
2009秋 6
清华大学电子工程系 李冬梅,李国林 高等模拟集成电路
集成电路制造工艺简介(续)
(一)单晶生长与衬底制备
硅(silicon)
--自然界中蕴含最丰富的元素之一。是人类迄今研
究最深入、了解最清楚的物质。
--人类提取的最纯材料,制取的最大单晶。
单晶硅(single-crystal silicon)
--最重要的集成电路衬底材料,是制作复杂微电子
器件的基础。其质量和加工技术对电路性能和芯片
合格率有直接影响。
2009秋 7
清华大学电子工程系 李冬梅,李国林 高等模拟集成电路
集成电路制造工艺简介(续)
(一)单晶生长与衬底制备(续)
1. 单晶生长
微缺陷及电阻率的控制
(影响器件特性及合格率Y= e -D0A )
硅圆片(wafer) 的直径越来越大
(降低生产成本)
器件结构越来越趋于硅片浅表层
(减小pn结侧壁电容,保证器件速度)
(对硅片表面加工质量及界面性质更加敏感)
2009秋
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