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光电信息工程外文文献翻译 (含：英文原文及中文译文) 文献出处： N.M. Liao, W. Li, Y.D. Jiang, et al. Effects of gas temperature on optical and transport properties of a-Si:H films deposited by PECVD[J]. Philosophical Magazine, 2008, 88(25):3051-3057. 英文原文 中文译文 气体温度通过 PECVD 沉积对 Si :H 薄膜的结构和光电性能的影响 N.M. Liao ， W. Li ， Y.D. Jiang ， Z.M. Wu ， K.C. Qi 摘要 气体温度的影响(TG )在等离子体增强化学气相沉积法(PECVD )生长的薄膜的结构 和光电特性:H 薄膜已使用多种表征技术研究。气体的温度被确定为制备工艺的优化、结 构和光电薄膜的性能改进的一个重要参数。薄膜的结构性能进行了研究使用原子力显微镜 (AFM ) ,傅立叶变换红外光谱(FTIR ) ,拉曼光谱,和电子自旋共振(ESR ) 。此外,光谱 椭偏仪(SE ) ,在紫外线–可见光区域的光传输的测量和电气测量被用来研究的薄膜的光 学和电学性能。它被发现在 Tg 的变化可以修改的表面粗糙度,非晶网络秩序,氢键模式 和薄膜的密度,并最终提高光学和电学性能。 1. 引言 等离子体增强化学气相沉积法(PECVD )是氢化非晶硅薄膜制备一种技术,具有广泛 的实际应用的重要材料。它是用于太阳能电池生产,在夜视系统红外探测器,和薄膜晶体 管的平板显示装置。所有这些应用都是基于其良好的电气和光学特性以及与半导体技术兼 容。然而,根据 a-Si 的性质, PECVD 制备 H 薄膜需要敏感的沉积条件,如衬底温度,功率 密度,气体流量和压力。许多努力已经花在制备高品质的薄膜具有较低的缺陷密度和较高 的结构稳定性的 H 薄膜。众所周知,衬底温度的强烈影响的自由基扩散的生长表面上,从 而导致这些自由基更容易定位在最佳生长区。 因此, 衬底温度一直是研究最多的沉积参数。 至于温度参数在 PECVD 工艺而言,除了衬底温度,气体温度(Tg )美联储在 PECVD 反应室 在辉光放电是定制的 a-Si 的性能参数:H 薄膜的新工艺。事实上, TG PECVD系统的变化 可以影响等离子体的能量在辉光放电,并最终改变了薄膜的性能。根据马丁吕,当薄膜制 作接近前后颗粒的形成机制在 a-Si ∶ H 薄膜,薄膜性能对 TG 的相关性比衬底温度更为显 著。然而,大多数的研究到目前为止只集中在衬底温度的影响。在我们以前的研究中,我 们报道的气体温度对磷的结构演化的影响掺杂的 a-Si ∶ H 薄膜的拉曼光谱。结果表明,存 在的无定形网络逐步有序, 在不久的表面和内部的 Tg 增加区域, 导致更高质量的 a-Si ∶ H 薄膜。但是进一步的调查在 TG 的影响的结构和光电特性:H 薄膜还没做好,这正是本文的 目的。 在这项研究中,用不同的气体温度的 PECVD 沉积薄膜。使用多种表征技术研究了薄膜 的性能,包括原子力显微镜(AFM ) ,傅立叶变换红外光谱(FTIR ) ,拉曼光谱,电子自旋 共振(ESR ) ,光谱椭偏仪(SE ) ,在紫外线–可见区和电气测量的光学传输的测量。 2. 实验细节 2.2 样品的制备 用纯硅烷 PECVD 方法制备的 a-Si:H薄膜:我们的 PECVD 系统配备了一个平行板电极, 如图 1所示 :两个电极和分离的面积为 220平方厘米和 2厘米 , 分别为 13.56兆赫的频率和 100 MW/cm2功率密度应用于上电极和下电极接地。 PECVD 系统是在一个给定的 4小时在 反应室达到平衡温度举行。严格按照以下标准的程序 , 所有的衬底进行清洗,以确保沉积 衬底和薄膜之间的附着力好之前。在洗涤剂溶液清洗后的衬底上,立即受到酒精的超声波 清洗,序列中的丙酮和去离子水 10分钟。基板被固定在样品架,上面的等离子区,避免 不良大颗粒污染。基板的热源来自上层加热单元(钨丝)的沉积过程中。气体的热源加热 带和较低的加热单元(钨丝) 。下加热单元作为保温。值得一提的是,在我们的情况下, 气体的温度是名义上的,因为它不是直接测量。 SiH4气体总流量为 40 sccm(标准立方厘 米每分钟) 在所有的沉积。 沉积压力为 60 Pa 的所有样品的制备, 衬底温度固定在 250°C 。 2.2表征方法 分析了键合形成的 a-Si ∶ H 薄膜,布鲁克张量 27傅立叶变换红外光谱(FTIR )装置 是在室温下进行,并在环境湿度控制在一个较低的水平(相对湿度 70%) 。拉曼光谱,在后 向散射的几何形状,使用 JY