电工与电子技术（14章半导体二极管和三极管.pptVIP

IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 * 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 * 例1 解： 6V 1.7V 1V (1) -10V -2.7V -2V (4) B E C NPN 硅管，放大状态 B E C PNP 硅管，放大状态 -1V -9.4V -10V (2) B E C NPN 硅管，放大状态 2.1V 2.7V 2V (6) B E C PNP 硅管，截止状态 -8V -1.5V -2V (7) B E C PNP X管，截止状态 B E C PNP X管，截止状态 判断晶体管工作状态 -12V -2.5V (8) -2V * 例： 当USB = - 2V时： USC 0, IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IC最大饱和电流： Q位于截止区 ?=50， USC =12V， RB =70k?，RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态 工作点Q位于哪个区？ 解： IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 当USB =2V时： 当USB =5V时: Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 * 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 14.5.4 主要参数 1. 电流放大倍数 ? 和 ? 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 例： UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 * 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 * B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 当集电结反偏时，集电区的空穴漂移到基区而 形成的ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 * 4.集电极最大允许电流 ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 * 6. 集电极最大允许功耗 PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 * 场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管 §14.6 场效应晶体管 N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 增强型绝缘栅场效应管 耗尽型绝缘栅场效应管 N 沟道耗尽型 P 沟道耗尽型 N 沟道增强型 P 沟道增强型 * 14.6.1 绝缘栅场效应管: 一、增强型绝缘栅场效应管 P 型硅基底 导电沟道 G S D N 沟道增强型：基本结构 P N+ N+ G S D 表示符号 漏极 栅极 源极 S--source G--grid D--drain SiO2绝缘薄层 金属铝 两个N + 区 * MOS管以N 沟道增强型的工作原理 UDS UGS UGS=0时 ID=0 对应截止区 P 型硅衬底 N+ N+ G S D D-S 间相当于两个反接的PN结 * P 型硅衬底 N+ N+ G S D N UGS UGS0时 当UGS较弱时，栅极聚集的正电荷排斥衬底靠近栅极一侧的空穴，形成负离子耗尽层。 * P 型硅衬底 N+ N