半导体为一导电度介於导体和绝缘体之间的材料.pdfVIP

第一章 前言 半導體為一導電度介於導體和絕緣體之間的材料 ，因照光 、溫 度 、磁場和微量雜質的變化而有許多特性。也因為如此，使得半導 體成為電晶體不可或缺的元件 。 現今台灣的積體電路工業上 ，主要還是以矽為主，而關於II-VI 族與 III-V族復合半導體的工業主要是集中在光電和微波方面 ，且這 些復合半導體技術隨著矽半導體技術而成長 。 本文所採用的 sample ：ZnS Se /Zn Cd Se ，關於 ZnS Se 0.06 0.94 0.8 0.2 x 1- /Zn Cd Se 常被應用在製造藍光和藍綠光雷射上，藉由磁阻的測量 ， x y 1-y 我們可知道一些電子特性如 ：電子-電洞的關係 、游移率、散射率… … 等 。這些數據對雷射的發展是很重要的，只要選擇合適的材料，我 們就可以製造出不同頻率的半導體雷射 。 1 1-1 實驗的基本條件 為了更清楚地觀察到電子效應 ，我們必須讓待測的半導體樣品 在一低溫的環境以降低電子受到熱效應的影響 。本實驗室為了提供 3 低溫的環境 ，採用了三套低溫系統︰(1) He 低溫系統 — 溫度可到 4 0.3K ；(2) He 低溫系統 — 溫度可到 1.2K ；(3)Dilution 低溫系統 — 溫 3 度可到 0.03K ；He 系統可以旋轉待測半導體 sample 的角度 ，Dilution 系統則為本實驗室能夠提供最低溫的系統 ，使得我們能夠比之前用 4 的 He 系統更清楚地觀察到電子的效應 。 在提供高磁場環境方面 ，本實驗室採用Oxford 生產的 Power supply 來提供電流給杜瓦瓶裡面的超導線圈 ，使磁場可run 至 12T ， 因為在高磁場的環境下會產生較明顯的藍道能階 ，我們觀察到的量 子現象因而也較明顯 。 本次實驗採用 Shubnikov-de Hass measurement ( SdH ) 的方法 。 用 inverse 所掃出的 B-R 圖和用快速傅利葉轉換的方式去觀察電子效 應 ，進而了解電子密度的改變情況。 2 1-2 半導體異質結構 1970 年 Esaki, Tsu1 提出厚度數百埃的二種超薄膜以週期性重疊 的方式造成半導體積層的構造 ，稱為超晶格( superlattice ) ，此種新 的設計概念技術猶如在自然界創造了新的半導體材料 。此後晶體成 長技術越來越進步 ，如氣相磊晶法( Vapor-phase epitaxy ；VPE )2 ， 矽( Si )元件和砷化鎵( GaAs )較為重要 ；液相磊晶法( Liquid-phase epitaxy ；LPE )適用於砷化鎵及III-V族化合物有關的材料 ，因為 LPE 的 生長速度很慢 。另一各重要的長晶技術是分子磊晶法( Molecular Beam Epitaxy ；MBE)3 ，此技術是在超真空( ~10-10torr )的情況下 ，組 成物的分子或原子束打擊在基版( substrate )面上 ，使原子或分子熱 束與晶體表面的作用反應 ，可以很準確地控制化學成份及濃度分佈 。 多層結構的單晶 ，若大小再原子層範圍時可採用MBE ，這種長晶方 法有多方面才藝 ，及惹人喜歡。 量