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SM1623文档
SM1623
概述
SM1623是一种带键盘扫描接口的LED驱动控制专用电路,内部集成有MCU数字接口、数据锁存器、LED驱动、键盘扫描等电路。且在输入端口内置上拉,可在应用方案中省去外部上拉电阻①。 封装图
SOP32 特性说明
采用CMOS工艺
VDD供电为5V
超强的输入端口干扰能力
输入端口内置上位电阻
显示模式:4位×14段—7位×11段
按键扫描:10×3位
辉度调节电路(占空比8级可调)
串行接口(CLK,STB,DIN,DOUT)
振荡方式:内置RC振荡
内置上电复位电路
ESD HBM:6KV
封装形式:SOP32 管脚定义
应用领域
VCD/DVD/DVB显示
电磁炉显示
电饭煲显示
空调显示
机顶盒显示
小家电LED数码显示驱动 内部功能框图
管脚定义说明
符号 管脚名称 管脚号 说明 NC - 1,13 空脚 DOUT 数据输出 2 在时钟下降沿输出串行数据,从低位开始 DIN 数据输入 3 内置上拉电阻。在时钟上升沿输入串行数据,从低位开始 CLK 时钟输入 4 内置上拉电阻。在上升沿读取串行数据,下降沿输出数据 STB 数据传输控制脚 5 内置上拉电阻。在下降沿初始化串行接口,随后等待接收指令,STB为低后的第一个字节作为指令。当STB为高时,CLK被忽略 KEY1—KEY3 键扫信号输入 6—8 键扫信号在显示周期结束后被锁存 SEG1/KS1—SEG10/KS10 段输出 10—12
14—20 P管开漏输出,管脚也用作键扫描 SEG11 段输出 21 P管开漏输出 SEG12/GRID7—SEG14/GRID5 段/位输出 22—24 段/位驱动输出 VDD 逻辑电源 9,25 5V±10% GRID3—GRID4 位输出 28—27 N管开漏输出 GND 逻辑地 26,29,32 芯片地 GRID1—GRID2 位输出 31—30 N管开漏输出 电气参数
极限参数(Ta = 25℃)
参数 符号 范围 单位 逻辑电源电压 VDD -0.5——+7.0 V 逻辑输入电压 VCLK,VSTB,VDIN -0.5——VDD + 0.5 V LED SEG驱动输出电流 ISEG -50 mA LED GRID驱动输出电流 IGRID 700 mA 工作温度 TOPT -40——+80 ℃ 储存温度 TSTG -65——+150 ℃ 电气特性(Ta = 25℃)
参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 逻辑电源电压 VDD - 4.5 5.0 5.5 V 高电平输入电压 VIH - 0.7VDD - VDD V 低电平输入电压 VIL - 0 - 0.3VDD V 静态电流 IDD VDD=5.0V,无负载,显示关 - - 1.2 mA SEG驱动电流 ISEG VDD=5.0V,SEG接2Ω电阻对GND - -47 - mA GRID驱动电流 IGRID VDD=5.0V,GRID接2Ω电阻对VDD - 650 - mA KEY下拉电阻 RKEY - 10 - 25 KΩ DIN、CLK、STB上拉电阻 R - - 10 - KΩ GRID振荡频率 fGRID VDD=5.0V - 210 - Hz 传输延迟时间 tPLZ VDD=5.0V,CLK→DOUT
RUP = 10 KΩ,CL=15pF - 75 - ns tPZL - 50 - ns 上升时间 tTZH(SEG) VDD=5.0V,SEGn接100Ω下拉电阻,GRIDn接10Ω上拉电阻,CL=15pF - 6 - ns tTLZ(GRID) - 14 - ns 下降时间 tTHZ(SEG) - 10 - ns tTZL(GRID) - 27 - ns 最大时钟频率 fCLK(max) 占空比50% - - 1 MHz 时序特性(VDD=5.0V,Ta = 25℃)
参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 时钟脉冲宽度 PWCLK 500 - - ns 选通脉冲宽度 PWSTB 1 - - μs 数据建立时间 tSETUP 100 - - ns 数据保持时间 tHOLD 100 - - ns CLK → STB时间 tCLK STB CLK↑→ STB↑ 1 - - μs 时序波形图
功能描述
显示寄存器地址和显示模式
该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到SM1623的数据,地址分配如下:
SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 SEG9 SEG10 SEG11 SEG12 SEG13 SEG14 X X b0 b1 b2 b3 b4
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