模拟电子技术 03第三章、半导体三极管及放大电路_单元测试.pptVIP

单元测试 1、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。 （答案与提示） 5、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是____。 A.饱和失真　B.截止失真　C.交越失真　D.频率失真 （答案与提示） 8、在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,Rl=2KΩ。电容C1，C2和Ce都足够大。若更换晶体管使β由50改为100，ｒbb‘约为0)，则此放大电路的电压放大倍数____。 A.约为原来的2倍　　B.约为原来的0.5倍　　C.基本不变　　D.约为原来的4倍 （答案与提示） 11.一个放大电路的中频电压放大倍数 Ａvm=-10, ｆL=50Hz, ｆH=100KHz ，由图中Ｖi的波形分别画出对应的Ｖo波形。（提示） 14.已知一放大电路对数幅频特性如图，回答：（1）该电路由几级阻容耦合电路组成？（2）每一级的ｆL及ｆH各是多少？（3）总的放大倍数|Ａvm|、ｆL、ｆH有多大？ （答案与提示） 1、ebc NPN硅管，cbe PNP硅管，ceb PNP锗管 工作在放大状态的三级管，三个电平中居中间位置的为基极。 2、放大，截止，临界饱和 根据两个结电压的极性来判断 3、不能，不能 （a）输入信号无法加到放大电路中；（b）无直流偏置，另外无法取出输出信号 4、D错 Q点偏高 5、饱和失真 对应于输入信号负半周使ＶEB增大时发生的失真，故为饱和失真。 6、可能使失真消失 交流负载线变陡 7、共射电路 共射电路既有电压放大作用又有电流放大作用 8、C β、ｒbe均增大两倍 9、B 电容Ce，交流短路 10、D 共基电路 11、a 图形频率f＝1KHz 在通频带内；b 图信号频率f＝ｆH=100KHz Ａv＝0.707Ａvm＝－7.07 12、（1）cacc （2）ccb （3）ccb Ce影响电路低频响应，管子ｆT及bc间外接电容影响电路高频响应 13、|Avm|=100 ,ｆH =0.1MHz，ｆL=100Hz，70.7 当f=ｆL或f=ｆH时 |Av|=0.707|Avm| 14、两级,ｆL1=100HZ ｆH1=10KHz ｆL2=10HZ ｆH2=100KHz |Avm|=100 ｆL=100Hz ｆH=10KHz 1.每一级耦合放大电路有一个上下限频率 2.多级放大电路上频限减小,下频限增大 15、（1）ＩC1=10.2mA，ＶCE1=ＶBB-ＶBE2-(-ＶBE2)=6V，ＩC2=10.2mA ，ＶCE2=ＶC2-ＶE2=5V ；（2）Ａv1=ｖo1/ｖs=-βＲi2/ｒbe1=-1，ＡV2=ｖo/ｖo1=βＲc2/ｒbe2=182.5（3）Ｒi=ｒbe1=257.5，Ｒo=Ｒc2=470 共射共基放大电路，恒流源提供静态偏置,交流电阻趋向无穷 16、（1）ＩE=1.73mA （2）R i=147K，Avs=0.928 电容C 与ＣB直流开路,交流短路；自举电路增大输入电阻 * 2、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处于那种工作状态（饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。 （答案与提示） 3、如下电路能否实现正常放大？ （答案与提示） 4、某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四组数据。找出其中错误的一组。 A. Ic=0.5mA,Ui=10mV,Uo=0.37V 　　B.Ic=1.0mA,Ui=10mV,Uo=0.62V?C. Ic=1.5mA,Ui=10mV,Uo=0.96V　　 D.Ic=2mA,Ui=10mV,Uo=0.45V? （答案与提示） 6、在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻RL，输入端加有正弦信号电压。若输出电压波形出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小RL的值，将出现什么现象？ A.可能使失真消失　　B.失真更加严重　　C.?可能出现波形两头都削平的失真。 （答案与提示） 7、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么电路？ A.共射电路　　B.共基电路　　C.共集电路　　 （答案与提示） 9、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？ ??? A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]　B.-β[(Rc||RL)/rbe]　C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)] （答