模拟电子技术 4.1 半导体三极管.ppt

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模拟电子技术 4.1 半导体三极管

4.1.1 BJT的结构简介;1.结构;2.分类;3.结构特点; 4.1.2 放大状态下BJT的工作原理;1.内部载流子的传输过程 (以NPN为例);(3)c结收集扩散过来的电子;2. BJT的三种组态;根据传输过程可知;又BJT相当于一个广义节点(KLV);∴结论(BJT放大状态下的极间电流分配);电压放大倍数;共射极接法;若 ?vI = 20mV , 使 ?iE = 1mA。;4.1.3 BJT的特性曲线(以共射极放大电路为例); iB=f(vBE)? vCE=常数;2.输出特性曲线;截止区 ;(3) 饱和区 ;在模拟电路中,BJT工作在放大区;(线性放大小信号) 在数字电路中,BJT工作在截止区、饱和区(做数字开关)。;解:(1)A (2)C (3)C (4)B ;2、电路如图所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。试分析uI为0V、1V、2V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。;(3)当uI=2V时,因为 ;3、分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 ;作业; (1) 共发射极直流电流放大系数 =(IC-ICEO)/IB≈IC / IB ? vCE=const.;1. 电流放大系数 ; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ;(1) 集电极最大允许电流ICM; 3. 极限参数;4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响

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